[发明专利]扇出型封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种扇出型封装结构，其特征在于，所述扇出型封装结构包括：

重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一表面及第二表面；

半导体芯片，位于所述重新布线层的第一表面，且所述半导体芯片的正面与所述重新布线层电连接；

粘片膜，位于所述半导体芯片的背面；

塑封材料层，位于所述重新布线层的第一表面，所述塑封材料层填满所述半导体芯片及所述粘片膜之间的间隙，并将所述半导体芯片及所述粘片膜塑封；

焊料凸块，位于所述重新布线层的第二表面，且与所述重新布线层电连接。

2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述重新布线层包括：

电介质层；

金属线层，位于所述电介质层内。

3.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述重新布线层包括：

电介质层；

金属叠层结构，位于所述电介质层内；所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接。

4.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述塑封材料层包括聚酰亚胺层、硅胶层、环氧树脂层、可固化的聚合物基材料层或可固化的树脂基材料层。

5.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述焊球凸块包括：

金属柱，位于所述重新布线层的第二表面，且与所述重新布线层电连接；

焊球，位于所述金属柱的远离所述半导体芯片的表面。

6.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述焊料凸块为焊球。

7.一种扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，所述扇出型封装结构的制备方法包括如下步骤：

1)提供衬底；

2)使用粘片膜将半导体芯片正面朝上键合于所述衬底的上表面；

3)于所述衬底的上表面形成塑封材料层，所述塑封材料层填满所述半导体芯片及所述粘片膜之间的间隙，并将所述半导体芯片及所述粘片膜塑封；

4)于所述塑封材料层的表面形成重新布线层，所述重新布线层与所述半导体芯片电连接；

5)于所述重新布线层远离所述半导体芯片的表面形成焊料凸块；

6)去除所述衬底。

8.根据权利要求7所述的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，步骤1)与步骤2)之间还包括于所述衬底的上表面形成剥离层的步骤；步骤2)中，使用粘片膜将半导体芯片倒装键合于所述剥离层的上表面。

9.根据权利要求7所述的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，步骤3)中，采用采用压缩成型工艺、传递模塑成型工艺、液封成型工艺、真空层压工艺或旋涂工艺于所述衬底的上表面形成所述塑封材料层。

10.根据权利要求7所述的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，步骤4)包括如下步骤：

4-1)于所述塑封材料层的表面形成金属线层；

4-2)于所述塑封材料层的表面形成电介质层，所述电介质层将所述金属线层包裹。

11.根据权利要求7所述的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，步骤4)包括如下步骤：

4-1)于所述塑封材料层的表面形成第一层金属线层；

4-2)于所述塑封材料层的表面形成电介质层，所述电介质层将第一层所述金属线层封裹，且所述电介质层的上表面高于所述金属线层的上表面；

4-3)于所述电介质层内形成若干层与第一层所述金属线层电连接的间隔堆叠排布的其他金属线层，相邻所述金属线层之间经由金属插塞电连接。

12.根据权利要求7所述的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，步骤5)中，于所述重新布线层的表面形成焊料凸块包括如下步骤：

5-1)于所述重新布线层的表面形成金属柱；

5-2)于所述金属柱的表面形成焊球。