[发明专利]紫外光发光二极管及其基板以及其基板的制造方法在审
申请号: | 201710623423.2 | 申请日: | 2017-07-27 |
公开(公告)号: | CN109309082A | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 张延瑜;李瑞评 | 申请(专利权)人: | 兆远科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/00;H01L33/12 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹科学工业园*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 紫外光发光二极管 图案化缓冲层 基材 图案化结构 缓冲层 外延层 多层半导体结构 表面形成 发光效率 基材表面 晶格取向 屏蔽层 图案化 移除 制造 | ||
一种紫外光发光二极管的基板,包括具有一图案化结构的基材与一图案化缓冲层;该基板的制造方法,包括:提供一基材,在该基材表面上设置一缓冲层,并使该缓冲层形成一图案化缓冲层,且该基材的表面形成一图案化结构,然后移除该图案化屏蔽层;一种紫外光发光二极管,包括上述的基板、设置于该图案化缓冲层上的至少一外延层,以及设置于该外延层上的一多层半导体结构。通过上述方法所形成的基板,使该基板中的图案化缓冲层仍保持有单一晶格取向的特性,以该基板为基础所形成的紫外光发光二极管可达到更佳的发光效率。
技术领域
本发明涉及一种紫外光发光二极管;尤其涉及一种可提高发光效率的紫外光发光二极管、紫外光发光二极管的基板,以及该基板的制造方法。
背景技术
紫外光发光二极管可应用于医疗、生医美容、杀菌及生物鉴定等领域。目前,紫外光发光二极管的基板主要有两种,第一种基板是在一非氮化铝基材上以异质外延方式成长氮化铝外延层,以形成基板,但是,氮化铝外延层与基材之间由于晶格常数不匹配,使得外延层的缺陷密度高,特别是位错的密度,缺陷将会吸收紫外光,如此一来,将会影响紫外光二极管的发光效率,使得发光效率不佳。第二种基板是氮化铝基板,氮化铝基板的缺陷密度低,因此,以氮化铝基板制作的紫外光发光二极管的发光效率高且寿命长,虽然氮化铝基板制作的紫外光发光二极管具有前述优点,但,目前制造氮化铝基板的技术难度高,使得氮化铝基板的产能低,价格居高不下。因此,紫外光发光二极管碍于发光效率及价格的因素,其运用仍然无法普及。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种紫外光发光二极管及其基板以及其基板的制造方法,以提高紫外光发光二极管的发光效率。
为了实现上述目的,本发明提供了一种紫外光发光二极管的基板,包括:一基材,具有一表面,该表面形成有一图案化结构,该图案化结构具有自该表面凹入形成的多个凹陷部,以及位于多个凹陷部之间的多个凸起部,该多个凸起部的上表面构成所述表面的一部分;一图案化缓冲层,具有多个凸部及多个镂空区,多个凸部分别直接设置于多个凸起部的上表面上且位于多个凸起部上表面的正投影范围内,多个凸部的厚度介于15~2000nm且材质包括AlNxOy,其中x介于0.7~1之间,y介于0~0.3之间;每个凸部具有一C轴取向的上表面;多个镂空区与多个凹陷部相通。
本发明还提供了紫外光发光二极管的基板的制造方法,包括下列步骤:A.提供一基材,该基材具有一表面;B.在该基材的表面上设置一缓冲层,该缓冲层的材质包括AlNxOy,其中x介于0.7至1之间,y介于0至0.3之间;该缓冲层的上表面为C轴取向;C.在缓冲层的上表面设置一图案化屏蔽层,该图案化屏蔽层具有多个凹穴;D.对位于多个凹穴下方的缓冲层及基材进行蚀刻,以移除位于多个凹穴下方的缓冲层,使该缓冲层形成一图案化缓冲层;以及移除多个凹穴下方的部分基材,以在该基材的表面形成一图案化结构,其中该基材被移除的部分构成该图案化结构的多个凹陷部,该基材在多个凹陷部之间的部位构成图案化结构的复数个凸起部;E.移除图案化屏蔽层。
本发明还提供了紫外光发光二极管,包括:上述的紫外光发光二极管的基板;至少一外延层,设置于图案化缓冲层上;一多层半导体结构,包括一第一型掺杂半导体层、一发光层与一第二型掺杂半导体层,其中该第一型掺杂半导体层接触至少一外延层,且发光层位于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间。
本发明的效果在于在基材表面设置缓冲层后,再将基材与缓冲层进行蚀刻,使图案化屏蔽层形成单一结构,以达到提高发光效率的功效。
附图说明
图1是本发明第一较佳实施例的用于紫外光发光二极管的基板的制造方法流程图;
图2(A)至图2(D)是上述较佳实施例的用于紫外光发光二极管的基板的制造流程示意图;
图3是上述较佳实施例的用于紫外光发光二极管的基板的示意图;
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