[发明专利]紫外光发光二极管及其基板以及其基板的制造方法

权利要求书

1.一种紫外光发光二极管的基板，包括：

一基材，具有一表面，所述表面形成有一图案化结构，所述图案化结构具有自所述表面凹入形成的多个凹陷部，以及位于所述多个凹陷部之间的多个凸起部，所述多个凸起部的上表面构成所述表面的一部分；

一图案化缓冲层，具有多个凸部及多个镂空区，所述多个凸部分别直接设置于所述多个凸起部的上表面且位于所述多个凸起部上表面的正投影范围内；所述多个凸部的厚度介于15～2000nm之间，且所述图案化缓冲层的材质包括AlN_xO_y，其中x介于0.7～1之间，y介于0～0.3之间；每个所述凸部具有一C轴取向的上表面；所述多个镂空区与所述多个凹陷部相通。

2.根据权利要求1所述的紫外光发光二极管的基板，其中，每个所述凸起部的底部与设置于其上方的凸部，以及与其相邻的一所述凹陷部、与所述凹陷部相连通的镂空区构成一次结构；每个所述次结构的底部宽度介于0.1～5μm之间。

3.根据权利要求2所述的紫外光发光二极管的基板，其中，每个所述次结构的底部宽度介于0.5～3μm之间。

4.根据权利要求1所述的紫外光发光二极管的基板，其中，每个所述凸部的上表面至相邻的一所述凹陷部的距离介于0.1～2.5μm之间。

5.根据权利要求1所述的紫外光发光二极管的基板，其中，每个所述凸起部的底部与设置于其上方的凸部，以及与其相邻的一所述凹陷部、与所述凹陷部相连通的镂空区构成一次结构；每个所述凸部上表面的宽度与每个所述次结构底部的宽度的比值大于或等于0.5。

6.根据权利要求1所述的紫外光发光二极管的基板，其中，所述基板材料为蓝宝石、硅或碳化硅材料。

7.根据权利要求6所述的紫外光发光二极管的基板，其中，每个所述凸起部与设置于其上的每个所述凸部所成的形状呈平顶圆锥、平顶角锥、平顶球面与不规则结构中的其中至少一种。

8.根据权利要求1所述的紫外光发光二极管的基板，其中，每个所述镂空区与对应的每个凹陷部呈杯状、圆锥状、角锥状、碗状与不规则结构状凹陷中的其中至少一种。

9.根据权利要求1所述的紫外光发光二极管的基板，其中，材质为AlN_xO_y的所述缓冲层远离基板端的表层处的位错密度为1×10⁹/cm²以下。

10.一种紫外光发光二极管，包括：

上述权利要求1至9中任一项所述的紫外光发光二极管的基板；

至少一外延层，设置于所述图案化缓冲层上；

一多层半导体结构，包括一第一型掺杂半导体层、一发光层与一第二型掺杂半导体层，其中所述第一型掺杂半导体层接触所述至少一外延层，且所述发光层位于所述第一型掺杂半导体层与所述第二型掺杂半导体层之间。

11.根据权利要求10所述的紫外光发光二极管，其中，所述至少一外延层包括AlN与AlGaN中的至少之一。

12.根据权利要求11所述的紫外光发光二极管，其中，所述至少一外延层包括一含有AlN的第一外延层，以及一含有AlGaN的第二外延层，所述第二外延层位于所述第一外延层与所述第一型掺杂半导体层之间。