[发明专利]芯片封装结构有效

专利信息
申请号: 201710541143.7 申请日: 2017-07-05
公开(公告)号: CN108122876B 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 余振华;蔡柏豪;林俊成;苏安治 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张福根;冯志云
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 芯片 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种芯片封装结构的形成方法,包括:

提供一芯片结构和一重布线结构,其中该重布线结构具有一侧壁、一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面,且该重布线结构包括一密封环结构,且其中该芯片结构在该第一表面上方;

形成一接地凸块和一导电凸块于该第二表面上方;以及

形成一导电屏蔽膜于该芯片结构、该重布线结构的该侧壁和该第二表面以及该接地凸块上方,其中该密封环结构电性连接至该导电屏蔽膜和该接地凸块,且该导电屏蔽膜覆盖该第二表面的一部分。

2.如权利要求1所述的芯片封装结构的形成方法,其中该导电屏蔽膜的形成包括:

提供一托盘,该托盘包括一基底和该基底上方的一支架结构,其中该支架结构具有一开口;

设置该重布线结构于该支架结构上方,其中该导电凸块在该开口中,且该接地凸块在该开口之外;

形成该导电屏蔽膜于该芯片结构、该重布线结构、该接地凸块和该托盘上方;以及

移除该托盘。

3.如权利要求2所述的芯片封装结构的形成方法,其中在设置该重布线结构于该支架结构上方之后且在移除该托盘之前,该支架结构在该接地凸块与该导电凸块之间。

4.如权利要求3所述的芯片封装结构的形成方法,其中该支架结构具有一宽度小于该接地凸块与该导电凸块之间的一距离。

5.如权利要求3所述的芯片封装结构的形成方法,其中在设置该重布线结构于该支架结构上方之后且在移除该托盘之前,该导电凸块在由该重布线结构、该支架结构和该基底形成的一封闭空间中,且该导电屏蔽膜不形成于该导电凸块上。

6.如权利要求1所述的芯片封装结构的形成方法,其中该导电屏蔽膜更顺应性地覆盖该第二表面。

7.如权利要求6所述的芯片封装结构的形成方法,其中该导电屏蔽膜更顺应性地覆盖该侧壁。

8.如权利要求1所述的芯片封装结构的形成方法,其中该导电屏蔽膜直接接触该接地凸块。

9.如权利要求8所述的芯片封装结构的形成方法,其中该导电凸块电性连接至该芯片结构,且该导电凸块电性绝缘于该接地凸块和该导电屏蔽膜。

10.一种芯片封装结构的形成方法,包括:

提供一芯片结构和一重布线结构,其中该重布线结构具有一侧壁、一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面,该芯片结构在该第一表面上方,该重布线结构包括一介电结构、一重分布线和一密封环结构,该重分布线和该密封环结构在该介电结构中,且该密封环结构围绕该重分布线;

形成一接地凸块和一导电凸块于该第二表面上方,其中该密封环结构在该接地凸块之上;以及

形成一导电屏蔽膜于该芯片结构和该重布线结构的该侧壁上方,其中该密封环结构电性连接至该导电屏蔽膜和该接地凸块。

11.如权利要求10所述的芯片封装结构的形成方法,其中该导电屏蔽膜覆盖该第二表面。

12.如权利要求11所述的芯片封装结构的形成方法,其中覆盖该第二表面的该导电屏蔽膜连续地围绕该接地凸块和该导电凸块。

13.如权利要求12所述的芯片封装结构的形成方法,其中覆盖该第二表面的该导电屏蔽膜在该密封环结构下方。

14.如权利要求10所述的芯片封装结构的形成方法,其中该导电屏蔽膜的形成包括:

提供一托盘,该托盘包括一基底和该基底上方的一支架结构,其中该支架结构具有一开口;

设置该重布线结构于该支架结构上方,其中该导电凸块和该接地凸块在该开口中;

形成该导电屏蔽膜于该芯片结构、该重布线结构和该托盘上方;以及

移除该托盘。

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