[发明专利]蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法。

背景技术

在显示装置中，基板上设置有栅极线、数据线及半导体层等，其中栅极线及数据线由金属布线构成。

形成金属布线的过程包括通过溅射所进行的金属膜形成工序、通过光致抗蚀剂的涂布、曝光及显影所进行的在被选区域上形成光致抗蚀剂的工序及蚀刻工序步骤。

所述蚀刻工序是指将光致抗蚀剂作为掩模使用并在被选区域上残留金属膜的工序，这种蚀刻工序通常包括使用等离子体等的干式蚀刻或使用蚀刻液的湿式蚀刻。此外，在形成金属布线后，为了形成半导体层需要进行进一步的蚀刻。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种能够同时蚀刻金属膜和非晶硅膜的蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法。

为了解决这种问题，本发明的实施例的蚀刻液组合物包括0.1wt％至5wt％的磺酸类化合物、0.1wt％至3wt％的氟化合物、0.1wt％至5wt％的铜化合物及余量的水，并且所述蚀刻液组合物的pKa值为3以下。

所述磺酸类化合物可为选自由包括苯磺酸、对甲苯磺酸和苄磺酸的环状苯磺酸；包括甲磺酸的烃类磺酸；磺酸铵(ammonium sulfonic acids)；磺酰胺酸(sulfamic acid)及氨基磺酸(Amino sulfonic acid)构成的组中的至少一种。

所述氟化合物可为选自由MgF₂、H₂SiF₆、NaF、NaHF₂、NH₄F、NH₄HF₂、NH₄BF₄、KF、KHF₂、AlF₃及H₂TiF₆构成的组中的至少一种。

所述铜化合物可为选自由CuSO₄、CuCl₂、CuNO₃、CuOH、Cu(CH₃COO)及CuBr₂构成的组中的至少一种。

所述蚀刻液组合物可进一步包括无机酸，所述无机酸在蚀刻液组合物总重量中的含量低于1wt％。

所述无机酸可为选自由硝酸、硫酸、磷酸及盐酸构成的组中的至少一种。

所述蚀刻液组合物对n⁺非晶硅和非晶硅的蚀刻速度之比可为3:1至4:1，所述蚀刻速度的单位为

所述蚀刻液组合物对n⁺非晶硅和SiNx的蚀刻速度之比可为18:1至20:1，所述蚀刻速度的单位为

所述蚀刻液组合物可同时蚀刻金属膜和n⁺非晶硅膜。

所述蚀刻液组合物可同时蚀刻金属膜和n⁺非晶硅膜及非晶硅膜。

所述金属膜可为包括铜和钛的多层膜。

所述蚀刻液组合物可进一步包括0.1wt％至3wt％的唑类化合物。

所述唑类化合物可为选自由氨基四唑、苯并三唑、咪唑及吡唑构成的组中的至少一种。

所述蚀刻液组合物可进一步包括5wt％至20wt％的过硫酸类化合物。

所述过硫酸类化合物可为选自由(NH₄)₂S₂O₈、Na₂S₂O₈及K₂S₂O₈构成的组中的至少一种。

所述蚀刻液组合物可进一步包括氮类环状化合物。

所述氮类环状化合物可为三氮类环状化合物。

所述三氮类环状化合物可为选自由1,2,4-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、3-巯基-1,2,4-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑-5-硫醇及其混合物构成的组中的一种。