[发明专利]蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法在审
| 申请号： | 201710437114.6 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107488856A | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 金真锡;金俸均;金奎佈;申贤哲;李相赫 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司;株式会社东进世美肯 |
| 主分类号： | C23F1/44 | 分类号： | C23F1/44;H01L21/3213;H01L21/306;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 朴圣洁,王珍仙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 使用 薄膜晶体管 显示 面板 制造 方法 | ||
1.一种蚀刻液组合物，包括：
0.1wt％至5wt％的磺酸类化合物；
0.1wt％至3wt％的氟化合物；
0.1wt％至5wt％的铜化合物；及
余量的水，并且，
所述蚀刻液组合物的酸解离常数值为3以下。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述磺酸类化合物为选自由包括苯磺酸、对甲苯磺酸和苄磺酸的环状苯磺酸；包括甲磺酸的烃类磺酸；磺酸铵、磺酰胺酸及氨基磺酸构成的组中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述氟化合物为选自由MgF2、H2SiF6、NaF、NaHF2、NH4F、NH4HF2、NH4BF4、KF、KHF2、AlF3及H2TiF6构成的组中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述铜化合物为选自由CuSO4、CuCl2、CuNO3、CuOH、Cu(CH3COO)及CuBr2构成的组中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述蚀刻液组合物进一步包括无机酸，所述无机酸在蚀刻液组合物总重量中的含量低于1wt％。
6.根据权利要求5所述的蚀刻液组合物，其中，
所述无机酸为选自由硝酸、硫酸、磷酸及盐酸构成的组中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述蚀刻液组合物对n+非晶硅和非晶硅的蚀刻速度之比为3:1至4:1，所述蚀刻速度的单位为
8.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述蚀刻液组合物对n+非晶硅和SiNx的蚀刻速度之比为18:1至20:1，所述蚀刻速度的单位为
9.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述蚀刻液组合物为同时蚀刻金属膜和n+非晶硅膜的蚀刻液组合物。
10.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述蚀刻液组合物为同时蚀刻金属膜和n+非晶硅膜及非晶硅膜的蚀刻液组合物。
11.根据权利要求10所述的蚀刻液组合物，其中，
所述金属膜为包括铜和钛的多层膜。
12.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述蚀刻液组合物进一步包括0.1wt％至3wt％的唑类化合物。
13.根据权利要求12所述的蚀刻液组合物，其中，
所述唑类化合物为选自由氨基四唑、苯并三唑、咪唑及吡唑构成的组中的至少一种。
14.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述蚀刻液组合物进一步包括5wt％至20wt％的过硫酸类化合物。
15.根据权利要求14所述的蚀刻液组合物，其中，
所述过硫酸类化合物为选自由(NH4)2S2O8、Na2S2O8及K2S2O8构成的组中的至少一种。
16.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述蚀刻液组合物进一步包括氮类环状化合物。
17.根据权利要求16所述的蚀刻液组合物，其中，
所述氮类环状化合物为三氮类环状化合物。
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