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[发明专利]蚀刻剂组合物以及使用蚀刻剂组合物制造金属图案和阵列衬底的方法-CN201911217843.6有效
发明人： 金俸均;金镇奭;沈承辅;崔新革;金承熙;李栋熙;金奎佈;申贤哲;李大雨;李秉雄;李相赫 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本申请涉及蚀刻剂组合物，其包含过硫酸盐、四氮环化合物、二氯化合物、氟化合物和水，并且所述蚀刻剂组合物具有约1:0.5至约1:4的所述四氮环化合物与所述二氯化合物的重量比。所述蚀刻剂组合物可以蚀刻钛/铜的多层并且可以用于制造具有优异的蚀刻图案的性质的金属图案和阵列衬底。
蚀刻组合以及使用制造金属图案阵列衬底方法

[发明专利]蚀刻剂组合物和使用其制造布线基板的方法-CN201910660021.9有效
发明人： 金俸均;金镇爽;沈承辅;崔新革;金承熙;李栋熙;鞠仁说;金范洙;金相泰;朴英哲;尹暎晋;林大成 -专利权人：三星显示有限公司;东友精细化工有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C07C229/00 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻剂组合物以及制造布线基板的方法。蚀刻剂组合物可包括：过氧硫酸盐、环胺化合物、包括羧基的第一两性化合物和包括砜基的第二两性化合物，其中第二两性化合物可不同于第一两性化合物。
蚀刻组合使用制造布线方法

[发明专利]蚀刻剂组合物以及制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法-CN202111650221.X在审
发明人： 金俸均;权昶佑;沈承辅;安一培;张硕浚;金镇奭;朴芝焄;李龙洙;全亮镒;金奎佈;金相佑;申贤哲 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本申请提供了蚀刻剂组合物以及使用蚀刻剂组合物制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法。实施方式的蚀刻剂组合物可蚀刻钛/铜的多层膜并且可包括约5wt％至约20wt％的过硫酸盐，约0.1wt％至约5wt％的磷酸和/或磷酸盐，约0.01wt％至约2wt％的羰基环化合物，约0.01wt％至约1wt％的3‑氮环化合物，约0.1wt％至约2wt％的4‑氮环化合物，约0.1wt％至约0.9wt％的氟化合物，约0.1wt％至约0.5wt％的硫酸氢盐，约1wt％至约3wt％的两性离子化合物，和水，包含的水的量使整个蚀刻剂组合物的总重量为约100wt％。
蚀刻组合以及制造金属图案薄膜晶体管方法

[发明专利]蚀刻剂组合物和使用其制造金属图案和阵列基板的方法-CN201910207694.9有效
发明人： 金俸均;金镇爽;沈承辅;崔新革;沈枟亨;李栋熙;金奎佈;申贤哲;李大雨;李相赫 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明的实施方式的蚀刻剂组合物包括过硫酸盐、四‑氮环化合物、具有两个或更多个羰基的羰基环化合物和水，并且四‑氮环化合物和羰基环化合物的重量比为约1:0.1至约1:2。蚀刻剂组合物可蚀刻钛/铜的多层并且可用于制造具有优异蚀刻图案特性的金属图案和阵列基板。
蚀刻组合使用制造金属图案阵列方法

[发明专利]一种图案化的金属导线和基板的组合-CN201810026111.8有效
发明人：朴弘植;李旺宇;金俸均;郑钟铉;林永祐;金奎布;徐源国;申贤哲;韩筵昊;李骐范;曹三永 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种图案化的金属导线和基板的组合，所述基板具有在其上形成的所述金属导线，所述金属导线包括：包含铟和锌的氧化物层；以及铜基层，设置在所述包含铟和锌的氧化物层之上或之下，其中，所述包含铟和锌的氧化物层的氧化锌量等于或高于按重量计10％并且低于按重量计约35％。用于蚀刻铜基配线层的湿法蚀刻组合物，包含按重量计约40％至按重量计约60％之间的磷酸、按重量计约1％至按重量计约10％之间的硝酸、按重量计约3％至按重量计约15％之间的乙酸、按重量计约0.01％至按重量计约0.1％之间的铜离子化合物、按重量计约1％至按重量计约10％之间的硝酸盐、按重量计约1％至按重量计约10％之间的乙酸盐，和余量的水。
一种图案金属导线组合

[发明专利]显示装置及该显示装置的制造方法-CN202111081475.4在审
发明人：沈承辅;权昶佑;金俸均;金鎭奭;朴孝淑;吴浩吉;李应揆;任完淳;崔埈厚 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种显示装置及该显示装置的制造方法。根据本实施例的显示装置包括：第一基板；多个金属层，位于所述第一基板上并彼此隔开；缓冲层，位于所述多个金属层上；半导体层，位于所述缓冲层上；栅极导电层，位于所述半导体层上；数据导电层，与所述半导体层连接；以及发光元件，与所述数据导电层连接，所述多个金属层包括第一部分、第二部分以及第三部分，所述第一部分在垂直于所述第一基板的面的第三方向上与所述半导体层一部分重叠的部分，所述第二部分在所述第三方向上与所述半导体层全部重叠的部分，所述第三部分在所述第三方向上不与所述半导体层重叠的部分。
显示装置制造方法

[发明专利]蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法-CN201711373532.X有效
发明人： 金俸均;郑在祐;朴弘植;金奎佈;申贤哲;李相赫 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法。一实施例所涉及的蚀刻液组合物包含8重量％至20重量％的过硫酸盐、0.1重量％至10重量％的磷酸或亚磷酸、0.1重量％至5重量％的磷酸盐化合物、0.1重量％至6重量％的单氮类环状化合物、0.1重量％至5重量％的磺酸类化合物、0.1重量％至2重量％的唑类化合物及余量的水，所述唑类化合物与所述单氮类环状化合物的含量比为1:1至1:2。
蚀刻组合使用薄膜晶体管显示面板制造方法

[发明专利]剥离组合物-CN202110664970.1在审
发明人： 金俸均;权昶佑;安一培;崔新革;金炳郁;赵泰杓;崔珉祐;许舜范 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：公开了一种剥离组合物。一实施例的剥离组合物以剥离组合物的总重量为基准而包括：1重量％以上50重量％以下的极性溶剂；1重量％以上60重量％以下的二醇化合物；1重量％以上20重量％以下的胺化合物；以及1重量％以上40重量％以下的水，其中，以剥离组合物的总重量为基准，极性溶剂以10重量％以上40重量％以下的含量包括N,N‑二甲基丙酰胺和环丁砜中的至少一个。剥离组合物可以在形成于电极上的光致抗蚀剂图案的去除工序中使用，并且可以显示出防止电极腐蚀的特性。
剥离组合

[发明专利]剥离液及利用该剥离液的显示装置制造方法-CN201410592323.4有效
发明人：金善一;朴弘植;金俸均;金柄郁;朴善周;尹锡壹;赵泰杓;许舜范 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供一种剥离液及利用该剥离液的显示装置制造方法，该剥离液包含非质子性极性溶剂、胺类化合物及质子性极性溶剂。以剥离液的总重量为基准，所述剥离液可以包含1～90重量部的所述非质子性极性溶剂、1～10重量部的所述胺类化合物以及1～30重量部的所述质子性极性溶剂。利用所述剥离液能够在短时间剥离光刻胶，且能够减少线路及彩色滤光器等所遭受的损伤。
剥离利用显示装置制造方法

[发明专利]蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法-CN201410497650.1有效
发明人： 金俸均;朴弘植;尹升好;金善一;金相佑;李大雨;李骐范;曹三永 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法。本发明实施例的蚀刻液组合物包含第一蚀刻液组合物和第二蚀刻液组合物。所述第一蚀刻液组合物包含过二硫酸盐化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物、有机酸、氟化物、磺酸化合物及无机酸。所述第二蚀刻液组合物包含二硫酸化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物及有机酸。
蚀刻组合利用薄膜晶体管形成方法

[发明专利]蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法-CN201710437114.6在审
发明人：金真锡;金俸均;金奎佈;申贤哲;李相赫 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法。本发明的一实施例的蚀刻液组合物包括0.1wt％至5wt％的磺酸类化合物、0.1wt％至3wt％的氟化合物、0.1wt％至5wt％的铜化合物及余量的水，并且所述蚀刻液组合物的pKa值为3以下。
蚀刻组合使用薄膜晶体管显示面板制造方法

[发明专利]光致抗蚀剂剥离剂组合物-CN201610685935.7在审
发明人： 金俸均;朴弘植;郑在祐;金炳郁;赵泰杓;许舜范;张斗瑛;金东宽 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开一种光致抗蚀剂剥离剂组合物。所述光致抗蚀剂去除用剥离剂组合物可在避免对金属图案的腐蚀和/或对有机/无机膜的损伤的前提下除去光致抗蚀剂。所述光致抗蚀剂去除用剥离剂组合物组成为相对于所述剥离剂组合物的总重量而包含15重量％至80重量％的非质子性极性溶剂，包含有N,N‑二甲基丙酰胺；25重量％至80重量％的质子性极性溶剂；1重量％至15重量％的胺系化合物。
光致抗蚀剂剥离组合

[发明专利]一种图案化的金属导线和基板的组合-CN201310260941.4在审
发明人：朴弘植;李旺宇;金俸均;郑钟铉;林永祐;金奎布;徐源国;申贤哲;韩筵昊;李骐范;曹三永 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种图案化的金属导线和基板的组合，所述基板具有在其上形成的所述金属导线，所述金属导线包括：包含铟和锌的氧化物层；以及铜基层，设置在所述包含铟和锌的氧化物层之上或之下，其中，所述包含铟和锌的氧化物层的氧化锌量等于或高于按重量计10%并且低于按重量计约35%。用于蚀刻铜基配线层的湿法蚀刻组合物，包含按重量计约40%至按重量计约60%之间的磷酸、按重量计约1%至按重量计约10%之间的硝酸、按重量计约3%至按重量计约15%之间的乙酸、按重量计约0.01%至按重量计约0.1%之间的铜离子化合物、按重量计约1%至按重量计约10%之间的硝酸盐、按重量计约1%至按重量计约10%之间的乙酸盐，和余量的水。
一种图案金属导线组合

[发明专利]蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法-CN201310319674.3在审
发明人： 金俸均;朴弘植;李旺宇;文英慜;尹升好;崔永株;金相佑;李骐范;李大雨;曹三永 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸铵((NH4)2S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。
蚀刻组合使用制造薄膜晶体管方法

[发明专利]用于金属线的蚀刻剂和使用其来制造金属线的方法-CN201180014543.3有效
发明人：徐南锡;洪瑄英;郑钟铉;金俸均;朴弘植;宋溱镐;李旺宇;金图元;金相佑;徐源国;申贤哲;李骐范;曹三永 -专利权人：三星显示有限公司;东进世美肯株式会社
申请日： 2011-02-17 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： C23F1/34 文献下载
摘要：本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。
用于金属线蚀刻使用制造方法

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