[发明专利]一种封装结构及封装方法在审
申请号: | 201710296090.7 | 申请日: | 2017-04-28 |
公开(公告)号: | CN108807295A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 林章申;林正忠;何志宏;吴政达;蔡奇风 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/522 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属垫 电连接 第二区域 第一区域 封装结构 供电模块 导电部 底面 封装 信号传输效率 传输距离 高深宽比 供电效率 固定封装 寄生电阻 用电模块 有效减少 元件封装 再布线层 分隔层 封装体 塑封层 分隔 绕线 金属 | ||
本发明提供一种封装结构及封装方法,该封装结构包括设置于再布线层底面的第一金属垫和第二金属垫;将底面至少分隔为第一区域和第二区域的分隔层;第一区域包括部分第一金属垫的底面,第二区域包括第一金属垫的剩余底面和第二金属垫底面的部分或全部;设置于第一区域、与第一金属垫电连接的导电部;设置于第二区域,一端与第一金属垫电连接、另一端与第二金属垫电连接的供电模块;固定封装供电模块和导电部的塑封层。通过将元件封装在一个封装体,供电模块直接与水平或垂直方向的用电模块电连接,无需绕线,有效减少传输距离和寄生电阻,进而提高供电效率;而且,本发明采用高深宽比的导电部,进一步提高信号传输效率。
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域,特别是涉及一种封装结构及封装方法。
背景技术
在集成电路的发展过程中,封装是其中的关键技术;它为芯片提供了连接至电路基板的电气连接,同时对脆弱敏感的芯片加以保护,便于测试、返修、标准化输入,输出端口,以及改善芯片与电路基板的热失配。
为了增加芯片的信号传导路径的灵活性以及封装的集成度,搭载着微电子组件的一个或多个芯片通常设置于一转接基板(英文:Interposer substrate)上;转接基板上设置再布线层,再布线层内设置有多条供电轨道,通过再布线层将芯片的微电子组件与电路基板电连接;电路基板上还设置供电模块,所述供电模块包括电源控制器等有源模块,以及电容、电感和电阻等无源模块,它们将外接电源转换成各个微电子组件所需的电压和电流,为芯片供电。
然而发明人通过研究发现,在芯片供电过程中,外接电源的电流通过电路基板流入供电模块,供电模块转换后的电流再流回电路基板才能够传输到转接基板实现供电,这样传输路径很长,很容易引入寄生电阻,从而降低供电效率。
因此,如何提供一种封装结构和封装方法,以提高供电效率,是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种封装结构和封装方法,用于解决现有技术中供电效率低的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种封装结构,该封装结构包括再布线层、分隔层、塑封层、供电模块和导电部,其中:
所述再布线层包括钝化层,以及被所述钝化层分隔的金属垫,所述再布线层的顶面及底面分别用于设置第一用电模块及第二用电模块并为其提供供电轨道;设置于所述再布线层底面的金属垫至少包括第一金属垫和第二金属垫;
所述分隔层设置在再布线层的底面上,并将所述底面至少分隔为第一区域和第二区域;所述第一区域包括部分第一金属垫的底面,所述第二区域包括第一金属垫的剩余底面和第二金属垫底面的部分或全部;
所述导电部设置于所述第一区域、与第一金属垫电连接,用于形成高深宽比的信号传输结构、且与外接电源电连接;
所述供电模块设置于所述第二区域,所述供电模块的一端与第一金属垫电连接、另一端与第二金属垫电连接;
所述塑封层形成于供电模块和导电部上,用于固定封装供电模块和导电部。
可选地,所述金属垫包括从外到内依次分布的溅射金属层和电镀金属层;所述电镀金属层还包括从外到内依次分布的第一电镀金属层和第二电镀金属层。
可选地,所述再布线层包括多层钝化层,以及分隔设置在每层钝化层内的金属垫,相邻钝化层内的金属垫能够通过堆叠孔电连接;位于再布线层顶面钝化层内的金属垫和堆叠孔均包括从外到内依次分布的溅射金属层和电镀金属层;其他钝化层内的金属垫和堆叠孔均包括电镀金属层;所述电镀金属层还包括从外到内依次分布的第一电镀金属层和第二电镀金属层。
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