[发明专利]半导体装置

说明书

半导体装置(100)具有基座板(1)、壳体(3)、功率半导体元件(5)和控制用半导体元件(6)。壳体(3)设置于基座板(1)之上。功率半导体元件(5)配置于壳体(3)内的基座板(1)之上。控制用半导体元件(6)配置于壳体(3)的内部。在壳体(3)的与基座板(1)相反侧形成有开口部(21)。还具有将壳体(3)的开口部(21)闭塞的盖(23)。在盖(23)处，在俯视时与控制用半导体元件(6)重叠的区域的至少一部分形成有孔部(25)。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置，特别地，涉及具有由树脂对功率半导体元件进行了封装的结构的半导体装置。

背景技术

电力控制用半导体模块将IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、FWDi(Free Wheeling Diode)等作为开关器件使用的功率半导体元件搭载于框体内。上述半导体模块称为功率模块。

在功率模块的领域，存在被称为智能功率模块(IPM)的功率模块，其不仅具有功率半导体元件，还具有对功率半导体元件进行驱动及保护的控制电路。作为智能功率模块，例如已知日本特开2006－121861号公报所公开的结构。

就智能功率模块而言，从抑制其动作的下降的角度出发，需要通过散热等而对内部的发热的部分进行冷却。但是，在日本特开2006－121861号公报中，控制电路的基板即控制电路基板是由绝缘树脂进行封装的。因此，对安装于该控制电路基板的控制用半导体元件等电子部件进行冷却变得困难。

发明内容

本发明就是鉴于上述课题而提出的，其目的在于提供一种能够高效率地对在智能功率模块的控制电路基板安装的控制用半导体元件进行冷却的半导体装置。

本发明的半导体装置具有基座板、壳体、功率半导体元件和控制用半导体元件。壳体设置于基座板之上。功率半导体元件配置于壳体内的基座板之上。控制用半导体元件配置于壳体的内部。在壳体的与基座板相反侧形成有开口部。还具有将壳体的开口部闭塞的盖。在盖处，在俯视时与控制用半导体元件重叠的区域的至少一部分形成有孔部。

通过结合附图进行理解的与本发明相关的以下的详细说明，使本发明的上述及其它目的、特征、方案以及优点变得明确。

附图说明

图1是表示实施方式1的半导体装置的结构的概略剖视图。

图2是用于针对构成图1的半导体装置的各部件，示出该各部件的配置的分解斜视图。

图3是表示在图1中的以虚线包围的区域III配置的控制用半导体元件的结构的概略正视图。

图4是表示对比例的半导体装置的结构的概略剖视图。

图5是用于针对构成图4的半导体装置的各部件，示出该各部件的配置的分解斜视图。

图6是表示实施方式2的半导体装置的结构的概略剖视图。

图7是表示图6中的以虚线包围的区域A的详细形态的第1例的概略剖视图。

图8是表示图6中的以虚线包围的区域A的详细形态的第2例的概略剖视图。

图9是表示实施方式3的半导体装置的结构的概略剖视图。

图10是表示实施方式4的半导体装置的结构的概略剖视图。

图11是表示实施方式5的半导体装置的结构的概略剖视图。

图12是表示珀耳帖元件的结构的概略剖视图。

图13是表示实施方式6中的在图1中的以虚线包围的区域III配置的控制用半导体元件的结构的概略正视图。