[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201710258116.9 申请日: 2017-04-19
公开(公告)号: CN107452688B 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 村上晴彦;米山玲;木村义孝;白滨孝之 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/04 分类号: H01L23/04;H01L23/367
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其具有:

基座板;

壳体,其设置于所述基座板之上;

功率半导体元件,其配置于所述壳体内的所述基座板之上;以及

控制用半导体元件,其配置于所述壳体的内部,

在所述壳体的与所述基座板相反侧形成有开口部,

该半导体装置还具有将所述壳体的所述开口部闭塞的盖,

在所述盖处,在俯视时与所述控制用半导体元件重叠的区域的至少一部分形成有孔部,

所述孔部在俯视时与所述控制用半导体元件的俯视时的整体重叠,

所述控制用半导体元件配置于所述孔部内,

所述盖的与所述基座板相反侧的主表面配置于与所述控制用半导体元件的同所述基座板相反侧的主表面共面的位置、或者与所述控制用半导体元件的同所述基座板相反侧的主表面相比更靠所述基座板侧的位置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

在所述盖的与所述基座板相反侧的主表面的上方还具有珀耳帖元件。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述控制用半导体元件包含封装件,

在所述封装件的表面的至少一部分包含多个深度大于或等于500μm的凹部。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

在所述壳体内还具有高散热性树脂,该高散热性树脂是以对所述功率半导体元件进行封装的方式填充的,导热率大于或等于0.5W/(m·K)。

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