[发明专利]包括抗静电芯片附连材料的半导体器件在审
| 申请号： | 201710111548.7 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN107146776A | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | V·施特鲁茨;F-P·卡尔茨;R·M·沙勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/24 | 分类号： | H01L23/24;H01L23/495;H01L21/50;H01L21/58 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 周家新,蔡洪贵 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 抗静电 芯片 材料 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，包括：
衬底；
半导体芯片；以及
位于所述衬底与所述半导体芯片之间的抗静电芯片附连材料，所述抗静电芯片附连材料包括非导电粘合剂材料与炭黑或石墨的混合物。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述抗静电芯片附连材料具有101Ω·cm与1010Ω·cm之间的电阻率。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述抗静电芯片附连材料包括1％与20％重量比之间的炭黑或石墨。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底包括引线框架。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述非导电粘合剂材料包括环氧树脂。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述抗静电芯片附连材料包括芯片附连膜。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述抗静电芯片附连材料包括后侧涂层。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体芯片包括磁场传感器。
9.一种半导体器件，包括：
包括导电材料的衬底；
绝缘体；
半导体芯片；
位于所述衬底与所述绝缘体之间的第一抗静电芯片附连材料；以及
位于所述绝缘体与所述半导体芯片之间的第二抗静电芯片附连材料，
其中，所述第一和第二抗静电芯片附连材料包括非导电粘合剂材料与炭黑或石墨片的混合物。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一和第二抗静电芯片附连材料具有101Ω·cm与1010Ω·cm之间的电阻率。
11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一和第二抗静电芯片附连材料包括1％与10％重量比之间的炭黑或石墨片。
12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述衬底包括引线框架。
13.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述非导电粘合剂材料包括环氧树脂。
14.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一和第二抗静电芯片附连材料包括芯片附连膜。
15.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述半导体芯片包括磁场传感器，以便感测流过衬底的电流。
16.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述绝缘体包括玻璃、体硅或陶瓷。
17.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
将第一抗静电材料施加到第一衬底上，所述第一抗静电材料包括非导电粘合剂材料与炭黑或石墨片的混合物；
将半导体芯片放置到所述第一抗静电材料上；以及
固化所述第一抗静电材料，以便将所述半导体芯片附连至所述衬底。
18.根据权利要求17所述的方法，还包括：
将所述非导电粘合剂材料与所述炭黑或石墨片混合，以便提供具有101Ω·cm与1010Ω·cm之间的电阻率的第一抗静电材料。
19.根据权利要求17所述的方法，还包括：
将所述非导电粘合剂材料与1％与2％重量比之间的炭黑或石墨片混合，以便提供所述第一抗静电材料。
20.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一衬底包括绝缘衬底，所述方法还包括：
将第二抗静电材料施加到包括导电材料的第二衬底上，所述第二抗静电材料包括非导电粘合剂材料与炭黑或石墨片的混合物；
将所述第一衬底放置到所述第二抗静电材料上；以及
固化所述第二抗静电材料，以便将所述第一衬底附连至所述第二衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710111548.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种降低测试图形对划片质量影响的切割方法
- 下一篇：用于标准单元的中段制程带
- 同类专利
- 一种电子封装器件及底填方法-201910688489.9
- 陈立军;徐友志;曹立强 - 上海先方半导体有限公司
- 2019-07-29 - 2019-11-08 - H01L23/24
- 本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及磁性材料作为底部填充胶填料在电子封装器件中的应用、一种电子封装器件及其底填方法。本发明以磁性材料作为底部填充胶填料可以实现对微小空隙的填充，同时可以降低基板与芯片和/或基板与母板间因热膨胀系数差异大所造成的应力冲击，提高了电子封装器件的可靠性、结构强度和抗跌落性能。
- 一种快速紧密封装的集成电路-201920301598.6
- 李泽锋 - 深圳市创芯智汇电子科技有限公司
- 2019-03-07 - 2019-08-30 - H01L23/24
- 本实用新型公开了一种快速紧密封装的集成电路，包括集成电路本体、以及封装壳体，集成电路本体设于封装壳体中；集成电路本体相对的两侧壁分别设置有对称的两伸缩卡件，封装壳体内侧壁上凹设有与伸缩卡件相对应的卡槽，伸缩卡件包括卡块和伸缩弹簧，伸缩弹簧一端与集成电路本体连接，伸缩弹簧另一端与卡块连接，卡块两侧分别设置有与滑槽适配的滑块。本实用新型通过在集成电路本体两侧面设置伸缩卡件，在封装壳体内侧壁设置卡槽，集成电路本体往下放时，伸缩卡件缩进容纳槽中，当伸缩卡件到达卡槽位置时，伸缩卡件弹出，伸缩卡件卡于卡槽中，使集成电路本体和封装壳体快速封装，并能够紧密连接，结构稳定，使用寿命长。
- 一种半导体芯片边缘和框架的绝缘封装方法及绝缘隔片-201910559900.2
- 丁一明;胡耀军;王新;王天立 - 无锡明祥电子有限公司;上海一滴微电子技术有限公司
- 2019-06-26 - 2019-08-27 - H01L23/24
- 本发明涉及一种半导体芯片边缘和框架的绝缘封装方法及绝缘隔片，其中绝缘封装方法包括，步骤一：根据芯片晶圆的尺寸制作用于覆盖芯片终端结构图形区域的绝缘隔片；步骤二，绝缘隔片对准位置覆合在芯片的终端结构图形区域并高温固化后划片；步骤三，基于步骤二得到的芯片焊接在金属框架上，经塑封料完全覆盖包裹完毕成型后完成封装。本发明针对封装过程中需要芯片背面的终端结构图形区域和金属框架绝缘封装，采用绝缘隔片进行封装具有种成本低，工艺简单，可靠性高等优点。
- 用于提高焊接强度的集成电路封装及其回流方法-201811001511.X
- 李义政 - 中山市盈利佳电子有限公司
- 2018-08-30 - 2019-08-20 - H01L23/24
- 本发明公开了用于提高焊接强度的集成电路封装及其回流方法，包括第二基底、第二焊球、S管、第一基底、第一芯片，第二基底叠放在第一基底的上侧，第二焊球设置在第二基底与第一基底之间使得第二基底与第一基底之间不接触；第一芯片设置在第二基底与第一基底之间且倒装在第一基底的上表面。本发明在两层基底之间的焊球阵列上设置S管，S管将焊球阵列划分为多列焊球，每列焊球的三面都有S管作为其“城墙”将进入的热气流进行阻挡、导向、暂时性聚集，使得处于内部的焊球其周围的气流较为集中，为焊球实现短暂时间的保温作用，使焊球融合得更深入，减小或者避免出现球窝现象。
- 用于柔性电子器件制造的临时粘合层-201780073592.1
- R·瑞特;D·阿雷加-萨拉斯 - 艾瑞斯材料公司
- 2017-11-27 - 2019-07-30 - H01L23/24
- 提供微电子器件基板以及制造和使用微电子器件基板的方法。微电子器件基板的示例包括载体、硅酸盐粘合层和柔性基板，其中柔性基板粘合到硅酸盐粘合层上。微电子器件基板具有柔性基板和硅酸盐粘合层之间的剥离强度，其中柔性基板和硅酸盐粘合层之间的剥离强度低于1kgf/m。
- 半导体封装件-201811610226.8
- 赵京淳 - 三星电子株式会社
- 2018-12-27 - 2019-07-05 - H01L23/24
- 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：第一基底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一半导体芯片，位于第一基底的第一表面上；第二半导体芯片，位于第一基底的第一表面上；加固件，位于第一半导体芯片和第二半导体芯片上；以及包封剂，位于第一基底的第一表面上。第一基底包括位于第一基底的第一表面上的多个第一垫和位于第一基底的第二表面上的多个第二垫。第一半导体芯片连接到多个第一垫中的第一组第一垫。第二半导体芯片连接到多个第一垫中的第二组第一垫。加固件覆盖第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的空间。包封剂至少覆盖第一半导体芯片和第二半导体芯片以及加固件中的每一个的侧壁。
- 一种抗翘曲基板-201711381698.6
- 周开宇;周蔚明 - 海太半导体（无锡）有限公司
- 2017-12-20 - 2019-06-28 - H01L23/24
- 本发明提供一种抗翘曲基板，包括有基板本体，其特征在于，基板本体上对称设置有基板区，一对基板区之间设置有过渡区，过渡区的中轴线与基板本体的中轴线重合，基板区内设置有多个无缝矩形阵列排布的基板单元，基板区的侧面上设置有金属条。本发明结构简单，操作方便，有效降低因为基板厚度变薄而产生翘曲的问题，便于生产中的触摸和移动。
- 电子组件和用于制造电子组件的方法-201780063259.2
- R.贝格尔 - 罗伯特·博世有限公司
- 2017-08-28 - 2019-05-21 - H01L23/24
- 阐明了一种电子组件（5），其包括：衬底（10），所述衬底具有布置在所述衬底（10）的第一侧面（12）上的电子器件（70‑78），其特征在于所述第一侧面（12）的多个通过如下中间区域（40‑44）彼此分开的区域（20、22、24、26、28、30），所述中间区域包括具有第一导热系数的中间区域材料，其中所述第一侧面（12）的所述区域（20、22、24、26、28、30）中的至少一个区域具有覆盖材料、尤其是在时效硬化之前能流动的覆盖材料，所述覆盖材料具有第二导热系数，其中所述第一侧面（12）的相应的区域（20、22、24、26、28、30）的覆盖材料分别覆盖器件（70‑78）中的一个或多个器件以及所述第一侧面（12）的一部分，而且其中所述第一导热系数小于所述第二导热系数。
- 功率模块及其制造方法-201780051150.7
- 田屋昌树 - 三菱电机株式会社
- 2017-07-28 - 2019-05-07 - H01L23/24
- 得到通过抑制高温时、低温时、低气压时的硅凝胶内的气泡的产生以及硅凝胶与绝缘基板的剥离从而能够抑制绝缘性能的劣化并确保绝缘性能的功率模块。一种功率模块，具备：绝缘基板(2)，在表面搭载有功率半导体元件(7)；底板(1)，接合于绝缘基板(2)的背面；壳体(3)，固定于底板(1)，包围绝缘基板(2)；盖(4)，固定于壳体(3)，形成密闭区域；硅凝胶(11)，是填充于密闭区域的整个区域并且内部应力被保持成压缩应力的填充部件。
- 一种同时具备低应力和抗高过载的电子器件-201821010930.5
- 华亚平 - 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
- 2018-06-28 - 2019-01-29 - H01L23/24
- 本实用新型公开了一种同时具备低应力和抗高过载的电子器件，是在封装管壳底板上覆盖下保护软胶、封装管壳侧面内侧覆盖侧保护软胶、封装盖板的内表面覆盖图形化的上保护软胶，将电子芯片通过粘片胶点贴装到封装管壳内，保证电子芯片与封装管壳内侧面及封装盖板间无直接机械连接。本实用新型利用上保护软胶、下保护软胶和粘片胶点一起缓冲Z方向的外力冲击，保护电子芯片不与封装盖板或封装管壳底板碰撞；利用侧保护软胶缓冲X、Y轴方向的外力冲击，保护电子芯片不与封装管壳侧面碰撞，从而使电子器件既可抗高过载，又具有相对较低的封装应力。
- 一种同时具备低应力和抗高过载的电子器件及其封装方法-201810689650.X
- 华亚平 - 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
- 2018-06-28 - 2018-11-23 - H01L23/24
- 本发明公开了一种同时具备低应力和抗高过载的电子器件及其封装方法，是在封装管壳的底板内侧滴加保护软胶，并压制形成下保护软胶和侧保护软胶；在封装盖板的内表面滴加保护软胶，压制形成图形化的上保护软胶，然后在下保护软胶上滴加粘片胶点，将电子芯片贴装到封装管壳内，保证电子芯片与封装管壳内侧面及封装盖板间无直接机械连接，然后键合金属线，最后盖上封装盖板。本发明利用上保护软胶、下保护软胶和粘片胶点一起缓冲Z方向的外力冲击，保护电子芯片不与封装盖板或封装管壳底板碰撞；利用侧保护软胶缓冲X、Y轴方向的外力冲击，保护电子芯片不与封装管壳侧面碰撞，从而使电子器件既可抗高过载，又具有相对较低的封装应力。
- 封装型功率电路模块-201510282388.3
- 程伟;洪守玉;赵振清;王涛 - 台达电子工业股份有限公司
- 2015-05-28 - 2018-11-06 - H01L23/24
- 本发明提供一种封装型功率电路模块，该封装型功率电路模块包括：一压力板，该压力板包括若干凸出的压力柱；一框架；一基板，该基板承载功率电路，该功率电路包括至少一个功率开关器件芯片；其中，框架设置于基板与压力板之间，框架承载压力板，基板、压力板与框架构成一大致闭合空间；当压力板承受一外界压力时，压力柱抵住基板与基板绝缘接触，从而将外界压力均匀传导至基板。
- 封装结构-201510282494.1
- 万正芬;王涛;赵振清;程伟;徐海滨 - 台达电子企业管理（上海）有限公司
- 2015-05-28 - 2018-10-09 - H01L23/24
- 本公开关于一种封装结构，包含：基板，其中基板的第一侧面上设置至少一电子器件；壳体，设置于第一侧面上而覆盖第一侧面，且具有容置空间，容置空间容置电子器件；至少一柱体，柱体由壳体的内侧顶面朝容置空间的方向所延伸；以及至少一弹性体，位于基板及柱体之间，用以接收柱体所传来的压力，并将压力传递至基板上；其中弹性体的弹性模量小于1000Mpa。本公开的封装结构，可均匀柱体提供的压力，避免损害封装结构的内部元件，提高基板空间利用率以及降低成本。
- 具高介电特性胶膜-201721599315.8
- 蔡中维;陈和仁 - 威达邦有限公司
- 2017-11-24 - 2018-08-10 - H01L23/24
- 本实用新型提供一种具高介电特性胶膜，包括一基板、一晶片及一保护胶膜，该基板具有一上表面及一下表面，该上、下表面分别形成于该基板的两侧，该晶片设置于该上表面并与该基板相电性连接，该保护胶膜对应贴覆于该上表面并覆盖所述晶片，其中该保护胶膜是高介电材料及无机材料及有机树脂材料所混合的胶膜。
- 一种抗翘曲基板-201721788653.6
- 周开宇;周蔚明 - 海太半导体（无锡）有限公司
- 2017-12-20 - 2018-08-10 - H01L23/24
- 本实用新型提供一种抗翘曲基板，包括有基板本体，其特征在于，基板本体上对称设置有基板区，一对基板区之间设置有过渡区，过渡区的中轴线与基板本体的中轴线重合，基板区内设置有多个无缝矩形阵列排布的基板单元，基板区的侧面上设置有金属条。本实用新型结构简单，操作方便，有效降低因为基板厚度变薄而产生翘曲的问题，便于生产中的触摸和移动。
- 一种新型集成电路半导体器件-201711376418.2
- 王孝裕 - 王孝裕
- 2017-12-19 - 2018-06-01 - H01L23/24
- 本发明公开了一种新型集成电路半导体器件，其结构包括固定引脚、LOGO标志、塑料体、第一凹块、固定孔、第二凹块、凹陷槽、螺钉贯穿通孔、壳体、散热极片、金属线、电极伸出端、集成电路芯片、塑料体本身，所述的第一凹块与第二凹块尺寸一致，所述的塑料体两侧固定设有活动装设第一凹块与第二凹块的凹槽，本发明的有益效果：当集成电路半导体器件内部的集成电路芯片产生热量时，通过散热极片散发到外界，不仅有利于实现集成电路半导体器件内部集成电路芯片的散热，而且便于加工生产，组装时无需在螺丝与散热极片之间添加绝缘片，绝缘效果好。
- 半导体器件及其制造方法-201510274149.3
- 吴念芳;史朝文;江永平;蔡豪益 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2015-05-26 - 2018-05-25 - H01L23/24
- 本发明提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括芯片衬底、模具和缓冲层。在芯片衬底上方设置模具。缓冲层从外部嵌入芯片衬底和模具之间。缓冲层具有的弹性模量或热膨胀系数小于模具的弹性模量或热膨胀系数。方法包括：设置至少覆盖衬底的划线的缓冲层；在衬底上方形成模具，并且模具覆盖缓冲层；以及沿着划线并穿过模具、缓冲层和衬底进行切割。
- 半导体装置-201710474001.3
- 谷直树 - 株式会社捷太格特
- 2017-06-21 - 2017-12-29 - H01L23/24
- 半导体装置(100)具备半导体元件(1)、电路基板(2)、金属布线(3A～3F)以及膨胀部件(5)。电路基板(2)具有上表面(21)和与上表面(21)对置的下表面(22)。金属布线(3A～3F)形成在上表面(21)以及下表面(22)中的至少一方。在半导体元件(1)中，至少两个连接端子形成在以与电路基板(2)的上表面(21)对置的方式配置的端子形成面(13)。膨胀部件(5)固定于半导体元件(1)的端子形成面(13)，具有比半导体元件(1)的线膨胀系数大的线膨胀系数，具有比至少两个连接端子中的相互相邻的两个连接端子的间隔大的尺寸。
- 包括抗静电芯片附连材料的半导体器件-201710111548.7
- V·施特鲁茨;F-P·卡尔茨;R·M·沙勒 - 英飞凌科技股份有限公司
- 2017-02-28 - 2017-09-08 - H01L23/24
- 一种半导体器件包括衬底、半导体芯片和位于所述衬底与所述半导体芯片之间的抗静电芯片附连材料。所述抗静电芯片附连材料包括非导电粘合剂材料与炭黑或石墨的混合物。在一种示例中，所述抗静电芯片附连材料具有101Ω·cm与1010Ω·cm之间的电阻率。
- 集成电路结构和密封环结构-201611222512.8
- 梁世纬;杜贤明;杨庆荣;黄章斌;赖昱嘉 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2016-12-27 - 2017-08-15 - H01L23/24
- 本发明实施例提供了具有密封环结构的集成电路结构。密封环结构包括低k介电层、第一密封环和第二密封环。第一密封环和第二密封环彼此隔开。第一密封环和第二密封环的每个包括金属层。金属层嵌入在低k介电层中，并且金属层包括具有多个开口的主体图案。第一密封环和第二密封环的主体图案与金属层的面积比大于或等于50％且小于100％。本发明实施例涉及集成电路结构和密封环结构。
- 减能结构-201310206597.0
- 钱睿宏;龙巧玲 - 财团法人工业技术研究院
- 2013-05-29 - 2017-06-23 - H01L23/24
- 本发明公开一种减能结构。此减能结构包括减能主体、至少一第一减能基底及至少一第二减能基底。减能主体具有彼此相对的上表面及下表面。第一减能基底设置于减能主体的上表面上。第二减能基底设置于减能主体的下表面上。其中，至少一第一减能基底与至少一第二减能基底的互相交错。
- 芯片封装结构-201520939628.8
- 张文远;陈伟政;宫振越 - 上海兆芯集成电路有限公司
- 2015-11-23 - 2016-04-20 - H01L23/24
- 本实用新型公开一种芯片封装结构，包括基板、芯片、底胶以及多个限位块。基板具有芯片承载面，而芯片配置于芯片承载面上，并电性连接至基板。底胶配置于芯片与芯片承载面之间。限位块配置于芯片承载面上，且分别对应于芯片的多个角落，以抵挡底胶。此芯片封装结构具有较佳的可靠度。
- 一种无外壳填充保护型电路元件及其制成工艺-201510847390.0
- 周云福;周全 - 广东百圳君耀电子有限公司
- 2015-11-30 - 2016-04-13 - H01L23/24
- 本发明公开了一种无外壳填充保护型电路元件及其制成工艺，包括有电子元件与引线进行焊料焊接后由填充物进行封装成型，所述填充物为生石灰、水泥或陶瓷粉末的耐高温绝缘材料与粘合剂按照2.5~4.5g/ml的比例进行均匀混合，本发明的填充物强度大、耐高温，在常温情况下就可进行填充固化，避免了传统工艺中涂装粉在高温下涂装会产生气泡等不良因素，同使用此填充物可以简化工序，节省生产制造时间提高产品的可靠性和良率。
- 改善斜坡金属反光的晶圆级封装结构-201520190458.8
- 沈建树;黄小花;翟玲玲;钱静娴;王晔晔;李玥 - 华天科技（昆山）电子有限公司
- 2015-04-01 - 2015-08-12 - H01L23/24
- 本实用新型公开了一种改善斜坡金属反光的晶圆级封装结构，包括一衬底，衬底一表面上形成有至少一凹槽，凹槽包括槽底和至少一对相对的斜坡状侧壁，凹槽的开口尺寸大于槽底尺寸，凹槽的至少一侧壁上具有金属线路，凹槽与该侧壁相对的另一侧壁上形成有与金属线路位置相对的辅助金属图案。本实用新型通过在没有金属线路的凹槽一斜坡状侧壁上形成与对面斜坡状侧壁的金属线路相对的辅助金属图案，能够确保凹槽两相对斜坡状侧壁上的光阻层受曝光情况一致，从而有效防止金属线路形成过程中，对面斜坡状侧壁的金属反光，确保金属布线不被破坏。
- 一种低成本超薄扇出型封装结构及其制作方法-201410515638.9
- 陈峰;王宏杰 - 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 2014-09-29 - 2014-12-24 - H01L23/24
- 本发明公开了一种低成本超薄扇出型封装结构及其制作方法，在芯片的周围填充第一绝缘树脂层，在第一绝缘树脂层与芯片的上表面设有第二绝缘树脂层，在第二绝缘树脂层的上表面设有第三绝缘树脂层，在第三绝缘树脂层上设有导电球，在芯片的上表面设有导通盘，在导通盘上连接有导电线路，导电线路位于第二绝缘树脂层表面或内部，导电线路的另一端与导电球相连，在第一绝缘树脂层与芯片的下表面设有保护膜。本发明可以使用低成本绝缘树脂作为芯片间的填充材料，有利于降低产品成本；本发明可以使用超薄芯片，有效控制封装后的整体厚度。本发明的制备方法具有步骤较少、简单易行等优点。
- 半导体封装件及其制法与中介板结构-201210356327.3
- 庄冠纬;林畯棠;廖怡茜;赖顗喆 - 矽品精密工业股份有限公司
- 2012-09-21 - 2014-03-26 - H01L23/24
- 一种半导体封装件及其制法与中介板结构，该半导体封装件制法，包括切割一基材以形成多个中介板，再分别置放各该中介板于一承载件的多个开口上，且任二该开口之间具有间距，待形成第一封装胶体以包覆该些中介板后，再移除该承载件，之后再结合至少一半导体组件于该中介板上。借由先切割该基材，以选择良好的中介板重新排设，可避免于封装后半导体组件与不良的中介板一并报废。
- 半导体封装件及其制造方法-201310293463.7
- 柳周铉 - 三星电子株式会社
- 2013-07-12 - 2014-01-29 - H01L23/24
- 本发明提供了一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括电路板、安装在所述电路板上的至少一个半导体芯片、布置在所述至少一个半导体芯片上的隔离物、以及覆盖所述至少一个半导体芯片的密封剂，所述隔离物的厚度为大约5μm至大约110μm并且所述隔离物的上表面向外暴露。所述半导体封装件可以具有较小的厚度，并且可以防止引起半导体芯片的有源表面暴露的不完全模塑。
- 具有芯片和载体的设置结构-201080030026.0
- 雷夫·贝里斯泰特 - 华为技术有限公司
- 2010-05-28 - 2012-05-23 - H01L23/24
- 本发明揭示芯片(1)和所述芯片的载体(2)，其中脊状物(4)位于所述芯片(1)与所述载体(2)之间，所述脊状物(4)适于增加所述芯片(1)与所述载体(2)之间的热接触。实例用法是借助于粘合部件(3)附接到所述载体(2)的接触表面(21)。
- 半导体封装件及其制造方法-200980144822.4
- 林少雄;林建福 - 先进封装技术私人有限公司
- 2009-11-20 - 2011-08-31 - H01L23/24
- 公开一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括装置载体和加强结构。装置载体包括至少一个绝缘层和至少一个导电层，导电层定义至少一个迹线布局单元。加强结构设置在装置载体上，围绕至少一个迹线布局单元的外围。加强结构与至少一个迹线布局单元的外围间隔开设置，与装置载体形成空洞。加强结构的形状和设置增强了半导体封装件的强度，防止对半导体封装件的弯曲。
- 通过封装键合结构而提升半导体装置的反应性金属表面上的导线键合安定性-200980133170.4
- A·迈尔斯;M·莱尔;F·屈兴迈斯特 - 格罗方德半导体公司
- 2009-08-29 - 2011-07-20 - H01L23/24
- 本发明提供一种例如基于铜的精密金属化系统的导线键合结构，通过在线键合程序之后提供填充材料(250)以至少封装敏感的金属表面(212S)及键合线(230)的一部分，而无需端子铝层且无须任何用于暴露的铜表面(212S)的钝化层。因此，显著的成本降低、缩减的周期时间以及所需程序步骤的减少可以无关于所使用的线键合材料而实现。因此，需要精密的金属化系统的集成电路可基于用于至少封装敏感金属表面(212S)的相应的填充材料(250)，而以所需的可靠度等级通过线键合而连结至相应的封装件(260)或载体基板。
- 专利分类
