[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明实施例提供一种半导体装置及其制造方法，其中运用囊封剂来囊封第一半导体装置及通孔。重布层将所述第一半导体装置连接到第二半导体装置。在特定实施例中，所述第一半导体装置是集成式电压调节器，且所述第二半导体装置是逻辑装置，例如中央处理单元。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

半导体装置用于各种电子应用中，作为实例，例如个人计算机、手机、数码相机及其它电子设备。通常通过以下步骤制造半导体装置：将材料的各个绝缘层或电介质层、导电层及半导体层循序地沉积于半导体衬底上；及使用光刻图案化各个材料层以在各个材料层上形成电路组件及元件。通常将几十或几百个集成电路制造于单一半导体晶片上。通过沿切割道锯切集成电路而单粒化个别裸片。

一旦单粒化，接着可运用彼此互补工作的其它装置封装个别裸片。当不期望将全部所需功能性放置到单一裸片中时，此封装是有用的。例如，如果一个功能性可能干扰其它功能性，那么可期望使不同裸片互连，其中每一裸片执行所需功能性而无来自其它裸片的过度干扰。然而，单独裸片上不同功能性的此互连导致应解决的其它问题。

发明内容

本发明的实施例提供一种包括第一半导体装置的半导体装置，其中所述第一半导体装置包括第一电压调节器。囊封剂囊封所述第一半导体装置且贯穿通孔与所述第一半导体装置分离且从所述囊封剂的第一侧延伸到所述囊封剂的第二侧。第一重布层在所述囊封剂的第一侧上电连接到所述贯穿通孔，且第二半导体装置通过所述第一重布层电连接到所述第一半导体装置，其中所述第二半导体装置包括第一逻辑装置。

根据本发明另一实施例，提供一种包括囊封剂的半导体装置，所述囊封剂具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧。贯穿通孔从所述第一侧延伸到所述第二侧且第一电压调节器裸片从所述第一侧延伸到所述第二侧。第一重布层电连接到所述贯穿通孔及所述第一电压调节器裸片，且第一逻辑裸片通过所述第一重布层电连接到所述第一电压调节器裸片。

根据本发明又另一实施例，提供一种制造半导体装置的方法，其包括运用第一囊封剂囊封通孔及第一电压调节器裸片，其中所述第一囊封剂与所述通孔物理接触。在所述第一囊封剂的第一侧上形成第一重布层，所述第一重布层与所述通孔电连接，且将第一逻辑裸片接合到所述第一重布层，所述第一逻辑裸片与所述第一电压调节器裸片电连接。

根据本发明又另一实施例，提供一种制造半导体装置的方法，其包括在第一半导体裸片上方形成第一重布层，其中所述第一半导体裸片是逻辑裸片。在所述第一重布层的与所述第一半导体裸片相对的侧上形成通孔，且将第一集成式电压调节器放置成邻近于所述通孔。囊封所述第一集成式电压调节器及所述通孔。

附图说明

在结合附图阅读时，从下文详细描述最佳地理解本揭露的方面。应注意，根据标准工业实践，各个构件未按比例绘制。事实上，为了清晰讨论起见，可任意地增大或减小各个构件的尺寸。

图1到4说明根据一些实施例的具有多个重布层的集成半导体装置。

图5说明根据一些实施例的具有单一重布层的集成半导体装置。

图6说明根据一些实施例的具有单一重布层及底胶材料的集成半导体装置。

图7说明根据一些实施例的具有多个重布层及底胶材料的集成半导体装置。

图8说明根据一些实施例的具有多个重布层及延伸贯穿所述多个重布层的贯穿硅通孔的集成半导体装置。

图9说明根据一些实施例的具有多个重布层及延伸贯穿所述多个重布层的贯穿硅通孔以及底胶材料的集成半导体装置。

图10说明根据一些实施例的具有单一重布层以及延伸贯穿多个重布层的贯穿硅通孔的集成半导体装置。