[发明专利]半导体封装与其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装与其制造方法。

背景技术

半导体装置是制作于半导体基板或晶圆的表面上，其可被依序分开或晶粒化成多个晶片或晶粒，每一个晶片或晶粒包含形成于其上的装置或集成电路(Integrated Circuit,IC)。一个或多个晶片可接着被封装体包围，其在电性连接晶片与外接电路时，提供晶片物理性与化学性保护。晶片可使用模料以塑模。然而，在提供热至半导体基板的工艺(如回焊工艺)时，半导体基板可能会翘曲。

发明内容

本发明的目的在于：提供一种可防止或抑制半导体封装在制作工艺中，因半导体晶片与模料之间的热膨胀系数错配而产生的翘曲问题的半导体封装与其制造方法。

本发明的一目的是提供一种半导体封装，包含半导体晶片、中介层、第一重分布层与模料。半导体晶片具有相对的第一表面与第二表面以及至少一个侧壁。侧壁连接第一表面与第二表面。中介层置于半导体晶片的第一表面上。第一重分布层置于半导体晶片的第二表面上，且电性连接半导体晶片。模料置于中介层与第一重分布层之间，且连接半导体晶片的侧壁。

在一个或多个实施方式中，半导体封装还包含贯穿结构，置于中介层与模料中，且电性连接第一重分布层。

在一个或多个实施方式中，半导体封装还包含半导体装置，电性连接贯穿结构。半导体晶片置于半导体装置与第一重分布层之间。

在一个或多个实施方式中，中介层的厚度为约10微米至约1000微米。

在一个或多个实施方式中，中介层包含硅、二氧化硅、绝缘层上硅或其组合。

在一个或多个实施方式中，中介层的杨氏模量高于该模料的杨氏模量。

在一个或多个实施方式中，中介层的热膨胀系数小于模料的热膨胀系数。

在一个或多个实施方式中，半导体封装还包含黏合层，置于半导体晶片与中介层之间。

在一个或多个实施方式中，半导体封装还包含第二重分布层，而中介层置于第一重分布层与第二重分布层之间。

本发明的另一目的是提供一种半导体封装的制造方法，包含在载板上放置半导体晶片。在半导体晶片上放置中介层。在载板与中介层之间形成模料，并环绕半导体晶片。移除载板。在半导体晶片上形成第一重分布层。半导体晶片置于中介层与第一重分布层之间。

在一个或多个实施方式中，中介层包含硅、二氧化硅、绝缘层上硅或其组合。

在一个或多个实施方式中，中介层的杨氏模量高于该模料的杨氏模量。

在一个或多个实施方式中，中介层的热膨胀系数小于该模料的热膨胀系数。

在一个或多个实施方式中，在半导体晶片上放置中介层的步骤包含在中介层与半导体晶片之间形成融合键(Fusion bond)。

在一个或多个实施方式中，在半导体晶片上放置中介层的步骤包含在半导体晶片上形成黏合层。在黏合层上放置中介层。

在一个或多个实施方式中，上述的方法还包含在模料与中介层中形成贯穿结构。

在一个或多个实施方式中，形成贯穿结构包含在模料与中介层中形成贯穿孔。在贯穿孔中形成贯穿结构。

在一个或多个实施方式中，上述的方法还包含连接半导体装置至贯穿结构。半导体晶片置于半导体装置与第一重分布层之间。

在一个或多个实施方式中，上述的方法还包含在中介层上形成第二重分布层。中介层置于第二重分布层与第一重分布层之间。

在一个或多个实施方式中，上述的方法还包含在第一重分布层上形成凸块。

在上述实施方式中，因半导体封装包含中介层，因此可防止或抑制半导体封装在工艺中，因半导体晶片与模料之间的热膨胀系数错配而产生的翘曲问题。

附图说明

图1A至图1F为本发明一些实施方式的半导体封装的制造方法在不同阶段的剖面图。

图2为根据本发明一些实施方式的半导体封装的剖面图。

图3为根据本发明一些实施方式的半导体封装的剖面图。

图4为根据本发明一些实施方式的半导体封装的剖面图。

具体实施方式

以下将以附图公开本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示之。