[发明专利]碳化硅晶圆片的制备方法和碳化硅晶圆片

权利要求书

1.一种碳化硅晶圆片的制备方法，其特征在于，包括：

在碳化硅基板的背面形成不透明的结构层，

其中，所述不透明的结构层包括不透明的硅化物层、金属层和硅层中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆片的制备方法，其特征在于，所述在碳化硅基板的背面形成不透明的结构层，其中，所述不透明的结构层包括不透明的硅化物层、金属层和硅层中的至少一种，具体包括以下步骤：

采用化学气相淀积工艺在所述碳化硅基板的两面形成氧化层；

在形成所述氧化层后，采用化学气相淀积工艺在所述碳化硅基板的两面形成氮化硅层；

对所述碳化硅基板的正面形成的所述氮化硅层进行干法刻蚀处理；

在去除所述碳化硅基板的正面形成的所述氮化硅层后，采用干法刻蚀和/或湿法刻蚀工艺去除所述碳化硅基板的正面形成的所述氧化层。

3.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆片的制备方法，其特征在于，所述在碳化硅基板的背面形成不透明的结构层，其中，所述不透明的结构层包括不透明的硅化物层、金属层和硅层中的至少一种，具体包括以下步骤：

采用化学气相淀积工艺在所述碳化硅基板的两面形成氧化层；

在形成所述氧化层后，采用化学气相淀积工艺在所述碳化硅基板的两面形成多晶硅层；

对所述碳化硅基板的正面形成的所述多晶硅层进行干法刻蚀处理；

在去除所述碳化硅基板的正面形成的所述多晶硅层后，采用干法刻蚀和/或湿法刻蚀工艺去除所述碳化硅基板的正面形成的所述氧化层。

4.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆片的制备方法，其特征在于，所述在碳化硅基板的背面形成不透明的结构层，其中，所述不透明的结构层包括不透明的硅化物层、金属层和硅层中的至少一种，具体包括以下步骤：

采用化学气相淀积工艺在所述碳化硅基板的两面形成氧化层；

在形成所述氧化层后，采用金属溅射工艺在所述碳化硅基板的背面形成所述金属层；

在所述碳化硅基板的背面形成的所述金属层后，采用干法刻蚀和/或湿法刻蚀工艺去除所述碳化硅基板的正面形成的所述氧化层。

5.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆片的制备方法，其特征在于，所述在碳化硅基板的背面形成不透明的结构层，其中，所述不透明的结构层包括不透明的硅化物层、金属层和硅层中的至少一种，具体包括以下步骤：

采用化学气相淀积工艺在所述碳化硅基板的两面形成氧化层；

在形成所述氧化层后，采用化学气相淀积工艺在所述碳化硅基板的两面形成氮化硅层；

在形成所述氮化硅层后，采用化学气相淀积工艺在所述碳化硅基板的两面形成多晶硅层；

对所述碳化硅基板的正面形成的所述多晶硅层进行干法刻蚀处理；

在去除所述碳化硅基板的正面形成的所述多晶硅层后，采用干法刻蚀和/或湿法刻蚀工艺依次去除所述碳化硅基板的正面形成的所述氮化硅层和所述氧化层。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的碳化硅晶圆片的制备方法，其特征在于，所述采用干法刻蚀和/或湿法刻蚀工艺去除所述碳化硅基板的正面形成的所述氧化层，具体包括以下步骤：

采用包括氟系元素的气体对所述碳化硅基板的正面形成的所述氧化层进行干法刻蚀处理，和/或氢氟酸溶液对所述碳化硅基板的正面形成的所述氧化层进行湿法刻蚀处理。

7.一种碳化硅晶圆片，其特征在于，包括：

碳化硅基板；

不透明的结构层，形成于所述碳化硅基板的背面，

其中，所述不透明的结构层包括不透明的硅化物层、金属层和硅层中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的碳化硅晶圆片，其特征在于，

所述不透明的结构层为所述碳化硅基板的背面依次形成的氧化层和氮化硅层。

9.根据权利要求7所述的碳化硅晶圆片，其特征在于，

所述不透明的结构层为所述碳化硅基板的背面依次形成的氧化层和多晶硅层。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的碳化硅晶圆片，其特征在于，

所述不透明的结构层为所述碳化硅基板的背面依次形成的氧化层、氮化硅和多晶硅层，

其中，所述氧化层的厚度范围为所述氮化硅的厚度范围为所述多晶硅层的厚度范围为