[发明专利]电子元件封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种电子元件封装体，其特征在于，包括：

可挠式基板；

第一线路结构，设置于所述可挠式基板上；

第一电子元件，设置于所述可挠式基板上，其中所述第一电子元件与所述第一线路结构相互分离；以及

第二线路结构，设置于热塑膜上，所述热塑膜以所述第二线路结构面对所述可挠式基板的方向熔接至所述可挠式基板，且封住所述第一电子元件，其中所述第二线路结构部分覆盖于所述所述第一线路结构与第一电子元件上，并将所述第二线路结构将所述第一线路结构与所述第一电子元件电性连接。

2.根据权利要求1所述的电子元件封装体，其特征在于，所述第一电子元件包括集成电路芯片。

3.根据权利要求1所述的电子元件封装体，其特征在于，所述第一线路结构与所述第一电子元件凸出于所述可挠式基板的表面或陷入于所述可挠式基板中。

4.根据权利要求1所述的电子元件封装体，其特征在于，还包括第二电子元件，设置于所述热塑膜上，且所述第二电子元件电性连接于所述第二线路结构。

5.一种电子元件封装体的制造方法，其特征在于，包括：

在可挠式基板上形成第一线路结构；

将第一电子元件放置于所述可挠式基板上，其中所述第一电子元件与所述第一线路结构相互分离；

在热塑膜上形成第二线路结构；以及

将所述热塑膜以所述第二线路结构面对所述可挠式基板的方向熔接至所述可挠式基板，且封住所述第一电子元件，其中所述第二线路结构部分覆盖于所述第一线路结构与所述第一电子元件上，并将所述第二线路结构将所述第一线路结构与所述第一电子元件电性连接。

6.根据权利要求5所述的电子元件封装体的制造方法，其特征在于，还包括在将所述热塑膜熔接至所述可挠式基板之前，在处理腔室中进行第一加热处理与第一加压处理，使所述第一线路结构与所述第一电子元件陷入于所述可挠式基板中，而使得所述第一线路结构的上表面、所述第一电子元件的上表面与所述可挠式基板的表面形成平坦表面。

7.根据权利要求5所述的电子元件封装体的制造方法，其特征在于，还包括在将所述热塑膜熔接至所述可挠式基板之前，将所述热塑膜放置于所述可挠式基板上，且所述第二线路结构对准所述第一线路结构与所述第一电子元件。

8.根据权利要求5所述的电子元件封装体的制造方法，其特征在于，还包括在所述热塑膜上放置第二电子元件，且所述第二电子元件电性连接于所述第二线路结构。

9.根据权利要求5所述的电子元件封装体的制造方法，其特征在于，将所述热塑膜熔接至所述可挠式基板的方法包括对所述热塑膜进行第二加热处理。

10.根据权利要求9所述的电子元件封装体的制造方法，其特征在于，将所述热塑膜熔接至所述可挠式基板的方法包括：

在处理腔室中，进行所述第二加热处理与第二加压处理，使所述热塑膜熔融。

11.根据权利要求10所述的电子元件封装体的制造方法，其特征在于，将所述热塑膜熔接至所述可挠式基板的方法还包括：

在所述处理腔室中，使所述热塑膜在所述第二加压处理的压力下进行回温。

12.根据权利要求9所述的电子元件封装体的制造方法，其特征在于，将所述热塑膜熔接至所述可挠式基板的方法包括：

在处理腔室中，于第一压力下进行所述第二加热处理，使所述热塑膜熔融；以及

在所述处理腔室中，使所述热塑膜在第二压力下进行回温，其中所述第二压力大于所述第一压力。