[发明专利]晶体生长装置、碳化硅单晶的制造方法、碳化硅单晶基板和碳化硅外延基板有效
| 申请号： | 201580069705.1 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN107109694B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 原田真;堀勉;佐佐木将;岸田哲也 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C23C14/06;C23C14/24;C23C16/42;C23C16/44;C30B23/06;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体生长 装置 碳化硅 制造 方法 单晶基板 外延 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅单晶的制造方法，所述方法包括：
准备腔室、生长容器、原料和晶种的步骤，所述腔室包括进气口、排气口、焊接部、和被构造成能够用水冷却至少包括所述焊接部的部分的水冷部，所述生长容器配置在所述腔室内，所述原料配置在所述生长容器内，所述晶种配置为在所述生长容器内面对所述原料；
通过升华所述原料而在所述晶种上生长碳化硅单晶的步骤；和
测量通过所述排气口的气体的露点的步骤，
在所述生长步骤中，所述通过所述排气口的气体的露点维持在-40℃以下。
2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，
在所述生长步骤中，通过所述排气口的所述气体的露点维持在-50℃以下。
3.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，
在所述生长步骤中，通过所述排气口的所述气体的露点维持在-60℃以下。
4.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的制造方法，其中，
在所述生长步骤中，通过所述排气口的所述气体的露点维持在-80℃以下。
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