[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201510522659.8 | 申请日： | 2015-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN105529316B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 谢东衡;庄惠中;林仲德;江庭玮;王胜雄;田丽钧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极结构 半导体器件 导电部件 衬底 间隔件 源区域 侧壁 绝缘层 顶面共面 顶面 制造 邻近 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底，具有有源区域；
第一栅极结构，位于所述衬底的顶面上方；
第二栅极结构，位于所述衬底的顶面上方，其中，所述第二栅极结构邻近所述第一栅极结构；
一对第一间隔件，位于所述第一栅极结构的每一个侧壁上；
一对第二间隔件，位于所述第二栅极结构的每一个侧壁上；
绝缘层，至少位于所述第一栅极结构上方，所述绝缘层嵌在所述第一栅极结构的每一个侧壁上的所述一对第一间隔件之间；
第一导电部件，位于所述有源区域上方；以及
第二导电部件，位于所述衬底上方，其中，所述第一导电部件的顶面与所述第二导电部件的顶面共面。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第三导电部件，其中，所述第三导电部件位于所述第一导电部件或所述第二导电部件上方。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电部件具有锥形。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电部件具有L形或U形。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电部件的一部分嵌入所述第一导电部件中。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电部件或所述第二导电部件包括钨。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘层包括氮化硅。
8.一种集成电路，包括：
衬底，包括：
源极部件；和
漏极部件；
第一栅极结构，位于所述衬底的顶面上方，其中，所述第一栅极结构位于所述源极部件与所述漏极部件之间；
第二栅极结构，位于所述衬底的顶面上方，其中，所述第二栅极结构邻近所述第一栅极结构和所述源极部件；
一对第一间隔件，位于所述第一栅极结构的每一个侧壁上；
一对第二间隔件，位于所述第二栅极结构的每一个侧壁上；
绝缘层，至少位于所述第一栅极结构上方，所述绝缘层嵌在所述第一栅极结构的每一个侧壁上的所述一对第一间隔件之间；
第一导电部件，位于所述源极部件或所述漏极部件上方，其中，所述第一导电部件的顶面与所述绝缘层的顶面共面；
第二导电部件，位于所述衬底上方；以及
第三导电部件，其中，所述第三导电部件位于所述第一导电部件或所述第二导电部件上方。
9.根据权利要求8所述的集成电路，其中，所述第一导电部件或所述第二导电部件具有L形。
10.根据权利要求8所述的集成电路，其中，所述第二导电部件的一部分位于所述第一导电部件、所述第二栅极结构以及所述第二栅极结构的每一个侧壁上的所述一对第二间隔件之间。
11.根据权利要求8所述的集成电路，其中，所述一对第二间隔件包括：
第一侧壁间隔件；以及
第二侧壁间隔件，其中，所述第一侧壁间隔件的顶面与所述第二侧壁间隔件的顶面不共面。
12.根据权利要求11所述的集成电路，其中，所述第二导电部件位于所述第二侧壁间隔件上方。
13.根据权利要求8所述的集成电路，其中，所述第二导电部件电连接至所述第二栅极结构。
14.根据权利要求8所述的集成电路，其中，所述第二导电部件电连接至所述漏极部件或所述源极部件。
15.根据权利要求8所述的集成电路，其中，所述第二导电部件的一部分位于所述第二栅极结构上方。
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