[发明专利]晶片封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包含：

一半导体晶片，具有至少一电子元件以及至少一导电垫，该导电垫与该电子元件电性连接且配置于该半导体晶片的一上表面；

一第一凹部，自该上表面朝半导体晶片的一下表面延伸；

一第一重布局线路层，自该上表面朝该下表面延伸，其中该第一重布局线路层与该导电垫电性连接且部分该第一重布局线路层配置于该第一凹部内；

一第二凹部，自该下表面朝该上表面延伸且与该第一凹部通过一连通部连通；

一第二重布局线路层，自该下表面朝该上表面延伸，部分该第二重布局线路层配置于该第二凹部内且该第二重布局线路层通过该连通部与该第一重布局线路层电性连接；以及

一封装层，配置于该下表面。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，进一步包含一第一绝缘层，该第一绝缘层配置于该第一凹部内，部分该第一重布局线路层配置于该第一绝缘层上。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一绝缘层具有一开口，该第二重布局线路层通过该开口与该第一重布局线路层电性连接。

4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，进一步包含一第一钝化层，该第一钝化层填满该第一凹部且覆盖该上表面以及该第一重布局线路层。

5.根据权利要求4所述的晶片封装体，其特征在于，该第一钝化层的一表面实质上平坦。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，进一步包含一第二钝化层，该第二钝化层配置于该第二凹部内且覆盖该下表面，且该第二钝化层夹设于该半导体晶片与该第二重布局线路层之间。

7.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该封装层填满该第二凹部。

8.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，进一步包含一第二钝化层，该第二钝化层填满该第二凹部且覆盖该下表面以及该第二重布局线路层。

9.根据权利要求8所述的晶片封装体，其特征在于，该封装层配置于该第二钝化层下。

10.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，进一步包含一第二绝缘层，该第二绝缘层配置于该第二凹部内，该第二绝缘层具有一开口，该第二重布局线路层通过该开口与该第一重布局线路层电性连接。

11.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，进一步包含一焊球，该焊球配置于该封装层下，且通过该封装层的一开口与该第二重布局线路层电性连接。

12.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该上表面至该下表面的距离实质上是300～600μm。

13.一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包含：

提供一半导体晶片，该半导体晶片具有至少一电子元件以及至少一导电垫，该导电垫与该电子元件电性连接且配置于该半导体晶片的一上表面；

形成一第一凹部，该第一凹部自该上表面朝该半导体晶片的一下表面延伸；

形成一第一重布局线路层，该第一重布局线路层自该上表面朝该下表面延伸，其中该第一重布局线路层与该导电垫电性连接且部分该第一重布局线路层配置于该第一凹部内；

形成一第二凹部，该第二凹部自该下表面朝该上表面延伸且与该第一凹部连通；

形成一第二重布局线路层，该第二重布局线路层自该下表面朝该上表面延伸，部分该第二重布局线路层配置于该第二凹部内且该第二重布局线路层与该第一重布局线路层电性连接；以及

形成一封装层，该封装层配置于该下表面。

14.根据权利要求13所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，在形成该第一重布局线路层的步骤之前，进一步包含形成一第一绝缘层，该第一绝缘层配置于该第一凹部内。

15.根据权利要求13所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，在形成该第二凹部的步骤之前，进一步包含：

形成一第一钝化层，该第一钝化层填满该第一凹部且覆盖该上表面以及该第一重布局线路层；以及。

平坦化该第一钝化层，使第一钝化层的一表面实质上平坦。