[发明专利]一种对准图形及其制作方法有效
| 申请号： | 201510094928.5 | 申请日： | 2015-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105988311B | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 李兵;章国伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 对准 图形 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种对准图形的制作方法，其特征在于，包括：
提供晶圆，所述晶圆表面上形成负光阻；
进行第一曝光，以初步定义正常的凸块图形；
选取位于所述晶圆的边缘的包含有效芯片数量不超过10个的若干区域为第二曝光区域，进行至少一次第二曝光，其中所述第二曝光位置与所述第一曝光位置至少错开二分之一所述负光阻已打开图形的距离；
进行显影，其中在所述第二曝光区域的负光阻不会被显影去掉；
形成凸块和位于所述第二曝光区域的无凸块区，凸块区和所述无凸块区组合成对准图形。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述若干区域的数量为3个。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一曝光和所述第二曝光均使用凸块曝光光罩。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述凸块的材料为金或锡银合金。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用电镀法形成所述凸块。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，适用于后段DPS制程。
7.一种采用如权利要求1所述的方法制作的对准图形，其特征在于，包括：位于晶圆上的有凸块区和无凸块区，其中所述无凸块区位于所述晶圆的边缘区域。
8.根据权利要求7所述的对准图形，其特征在于，所述对准图形的数量为3个。
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