[发明专利]半导体封装件的制造方法以及半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件的制造方法，其特征在于，依次包括：

将半导体元件接合在芯片焊盘的上表面的装载工序，

将所述半导体元件与引线通过连接构件进行电连接的连接工序，将所述芯片焊盘，所述半导体元件，所述连接构件以及所述引线的表面通过硅烷偶联剂进行表面处理的表面处理工序，以及

将所述芯片焊盘，所述半导体元件，所述连接构件以及所述引线用封装树脂进行封装的封装工序，

其中，在所述半导体元件的表面中接合有所述连接构件的所述半导体元件的第一表面含有露出有机物的第一区域，和露出无机物的第二区域，

所述第一区域与所述封装树脂之间的接合强度比所述第二区域与所述封装树脂之间的接合强度更弱。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于：

其中，在所述半导体元件的所述第一表面上设有与所述连接构件电连接的电极部，

通过所述电极部与所述连接构件构成电连接部，

所述电连接部的表面由无机物构成，

所述第一区域与所述封装树脂之间的接合强度比述电连接部的表面与所述封装树脂之间的接合强度更弱。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于：

其中，在所述装载工序中，采用接合构件将所述芯片焊盘与所述半导体元件接合，

在所述表面处理工序中，通过所述过硅烷偶联剂对所述接合构件的表面进行表面处理，

所述第二区域与所述封装树脂之间的接合强度比所述接合构件与所述封装树脂之间的接合强度更强，

所述芯片焊盘的所述上表面与所述封装树脂之间的接合强度比所述接合构件与所述封装树脂之间的接合强度更强。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于：

其中，所述表面处理工序依次包含：

将含有所述硅烷偶联剂的溶液向所述芯片焊盘，所述半导体元件，所述连接构件以及所述引线的表面进行喷雾的喷雾工序，

将所述溶液进行加热的加热工序。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于：

其中，在所述加热工序中，在25℃～150℃的温度下对含有所述芯片焊盘以及所述引线的引线框架进行加热。

6.根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于：

其中，在所述封装树脂中含有硅烷偶联剂。

7.一种半导体封装件，其特征在于，包括：

芯片焊盘，

被接合在所述芯片焊盘的上表面的半导体元件，

引线，

将所述半导体元件与所述引线进行连接的连接构件，以及

将所述芯片焊盘，所述半导体元件，所述连接构件以及所述引线进行封装的封装树脂，

其中，所述芯片焊盘，所述半导体元件，所述连接构件以及所述引线的表面由硅烷偶联剂进行表面处理，

所述半导体元件的表面中接合有所述连接构件的所述半导体元件的第一表面含有露出有机物的第一区域，和露出无机物的第二区域，所述第一区域与所述封装树脂之间的接合强度比所述第二区域与所述封装树脂之间的接合强度更弱。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其特征在于：

其中，在所述半导体元件的所述第一表面中，设有与所述连接构件电连接的电极部，

通过所述电极部与所述连接构件构成电连接部，

所述电连接部的表面由无机物构成，

所述第一区域与所述封装树脂之间的接合强度比所述电连接部与所述封装树脂之间的接合强度更弱。

9.根据权利要求7所述的半导体封装件，其特征在于：

其中，所述第一区域被形成为环状。