[发明专利]一种新型半导体封装体

说明书

  

技术领域

本发明涉及一种新型半导体封装体，属于封装技术领域。 

背景技术

封装技术，是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术。以CPU为例，实际看到的体积和外观并不是真正的CPU内核的大小和面貌，而是CPU内核等元件经过封装后的产品。封装技术封装对于芯片来说是必须的，也是至关重要的，因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降；另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB（印制电路板）的设计和制造，因此它是至关重要的。 

目前，主流封装技术使用刚性材料比如陶瓷，硬塑料进行封装，但是对于新兴的柔性半导体材料器件以及可穿戴便携式电子器件，传统的封装技术在产品的机械性能上不能够提供可随意弯曲折叠的机械性能；同时，现有常规的柔性基底不能对芯片和器件提供足够优良的保护作用。 

发明内容

发明目的：本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种新型半导体封装体，该装置解决了现有的封装技术在产品的机械性能上不能够提供可随意弯曲折叠的机械性能的问题和现有常规的柔性基底不能对芯片与器件提足够供保护的问题。 

技术方案：本发明所述的一种新型半导体封装体，包括两片高分子聚合物薄膜基板，待封装对象通过灌封胶体封装于两片高分子聚合物薄膜基板之间，两片高分子聚合物薄膜基板上均设有防水抗氧化层，以提升薄膜基板的防水和抗氧化性；，其中，至少一片高分子聚合物薄膜基板的所述防水抗氧化层上设有金属电路层，用于连接芯片针脚或者半导体器件接触电极的电极，待封装对象连接于金属电路层上。 

进一步完善上述技术方案：所述高分子聚合物薄膜基板采用聚萘二甲酸或聚酰亚胺制作而成。 

作为优选：所述防水抗氧化层为氧化铝和氮化硅交替层叠结构，交叠层数由封装性能要求决定。 

进一步地：所述防水抗氧化层通过化学沉积法制备。 

进一步地：所述封装对象为半导体芯片、半导体器件或多个半导体芯片组成的微系统。 

作为优选：所述半导体芯片连接口与金属电路层通过触压接触。 

作为优选：所述灌封胶体为防水类热熔胶，可对封装边缘的防水和抗氧化性能进行提升。 

所述防水类热熔胶采用聚酰胺类材料制备而成。 

本发明与现有技术相比，其有益效果是： 

1、解决了现有的封装技术在产品的机械性能上不能够提供可随意弯曲折叠的机械性能的问题。

2、解决对芯片与器件提足够供的保护问题，提高半导体防水性能，后期可靠性，以及在便携、轻薄上具有良好的效果。 

3、该设计可以同时将多个芯片同时封装在一个电路板内，节约封装面积，并且可以将不同功能的芯片通过电路连接组成微系统。 

附图说明

图1为所述高分子聚合物薄膜基板的示意图。 

图2为在所述高分子聚合物薄膜基板上加工防水防氧化层的示意图。 

图3为在所述高分子聚合物薄膜基板上制作金属电路层的示意图。 

图4为所述金属电路层在柔性基板上制成的俯视示意图。 

图5为将芯片连接在基板的金属电路层电路上的示意图。 

图6为使用两片基板实现双面封装的示意图。 

图7为双层基板封装时的截面示意图。 

图8为在双层基板之间填充灌封胶体完成封装的示意图。 

图中：1、高分子聚合物薄膜基板；2、防水抗氧化层；3、金属电路层；4、半导体芯片；5、防水类热熔胶。 

具体实施方式

下面结合附图对本发明技术方案进行详细说明，但是本发明的保护范围不局限于所述实施例。 

实施例1：一种新型半导体封装体，包括两片高分子聚合物薄膜基板1，所述高分子聚合物薄膜基板1采用聚萘二甲酸或聚酰亚胺制作而成，待封装对象通过防水类热熔胶5封装于两片高分子聚合物薄膜基板1之间，所述防水类热熔胶采用聚酰胺类材料制备而成。 

所述两片高分子聚合物薄膜基板1上设有防水抗氧化层2，所述防水抗氧化层2为氧化铝和氮化硅交替层叠结构，其通过化学沉积法制备。 

所述防水抗氧化层2上设有金属电路层3，用于连接芯片针脚或者半导体器件接触电极的电极，所述封装对象为半导体芯片、半导体器件或多个半导体芯片组成的微系统；待封装对象连接于金属电路层3上，其中，所述半导体芯片4连接口与金属电路层3通过触压接触。