[发明专利]半导体装置、半导体装置制造方法和半导体单元

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

半导体基板，所述半导体基板具有彼此面对的第一表面和第二表面，所述半导体基板具有元件区和隔离区，所述元件区包括设于所述第一表面中的晶体管，并且所述隔离区包括围绕所述元件区的元件隔离层；

接触插塞，所述接触插塞在所述半导体基板的所述隔离区中从所述第一表面延伸至所述第二表面；以及

存储元件，所述存储元件被设置于所述半导体基板的所述第二表面上，且绝缘层介于所述存储元件与所述半导体基板的所述第二表面之间，

其中，所述半导体基板包括层叠结构，所述层叠结构包括第一半导体层、埋入式氧化物膜和第二半导体层，所述第一半导体层被设置于所述元件区中，所述埋入式氧化物膜覆盖所述第一半导体层，并且所述第二半导体层覆盖所述埋入式氧化物膜和所述元件隔离层，

所述接触插塞的周围被所述绝缘层的一部分覆盖，且所述接触插塞和所述第二半导体层彼此隔开，并且

所述接触插塞的第一端与所述存储元件连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述存储元件是自旋转移力矩磁性隧道结存储元件。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述晶体管包括：

一对扩散层，所述一对扩散层构成所述半导体基板的一部分；

源极电极和漏极电极，它们分别与所述一对扩散层中的对应一者连接；以及

栅极电极，并且

所述栅极电极、所述源极电极或者所述漏极电极被连接至所述接触插塞的第二端。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述接触插塞的周围被所述绝缘层的一部分覆盖，并且所述接触插塞和所述半导体基板彼此隔开。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中

所述半导体基板包括设于所述隔离区的一部分中的开口，

所述绝缘层通过所述半导体基板的所述开口与所述元件隔离层连接，并且

所述接触插塞贯穿所述绝缘层与所述元件隔离层之间的连接部。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中所述接触插塞的占据面积从所述第一表面向所述第二表面增大。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述半导体基板在所述元件区中包括覆盖所述晶体管的埋入式氧化物膜，并且

所述埋入式氧化物膜和所述元件隔离层都被所述绝缘层覆盖。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中

所述晶体管包括沿第一方向延伸的鳍片以及沿第二方向延伸的栅极配线、源极配线和漏极配线，所述栅极配线、所述源极配线和所述漏极配线覆盖所述鳍片的除了背面以外的表面，并且

所述源极配线或者所述漏极配线被连接至所述接触插塞的第二端。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述晶体管包括沿第一方向延伸的鳍片以及沿第二方向延伸的栅极配线、源极配线和漏极配线，所述栅极配线、所述源极配线和所述漏极配线覆盖所述鳍片的除了背面以外的表面，并且

所述半导体基板包括层叠结构，所述层叠结构包括埋入式氧化物膜和半导体层，所述埋入式氧化物膜覆盖所述鳍片、所述栅极配线、所述源极配线和所述漏极配线各者的背面，并且所述半导体层覆盖所述埋入式氧化物膜和所述元件隔离层，并且

所述接触插塞的周围被所述绝缘层的一部分覆盖，且所述接触插塞和所述半导体层彼此隔开。

10.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述绝缘层的覆盖所述接触插塞的周围的所述一部分由介电常数比SiO₂的介电常数低的材料制成。

11.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中所述接触插塞的占据面积从所述第一表面向所述第二表面减小。