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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN201780082673.8有效
发明人： 横山孝司;梅林拓 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：根据本技术的一个实施方式的半导体装置配备有：第一衬底，设置有存储阵列；以及第二衬底，层压至第一衬底，并且设置有控制存储阵列的操作的外围电路。
半导体装置

[发明专利]成像装置和电子设备-CN202180054237.6在审
发明人： 横山孝司 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：根据本公开的一个实施例的成像装置包括：第一基板，其具有执行光电转换的一个或多个传感器像素；和第二基板，其层叠在所述第一基板上，电连接到所述第一基板，并且具有以完全耗尽模式操作的晶体管。
成像装置电子设备

[发明专利]成像装置和电子设备-CN202180024198.5在审
发明人： 横山孝司 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本发明的实施例的成像装置包括：第一基板，具有第一表面和第二表面，且包括位于第一半导体基板上的传感器像素，传感器像素进行光电转换；第二基板，具有第三表面和第四表面，且包括位于第二半导体基板上的第一晶体管，第一晶体管构成像素电路，像素电路输出基于从传感器像素输出的电荷的像素信号，第二基板以第一表面和第三表面彼此相对的方式堆叠在第一基板上；和第三基板，具有第五表面和第六表面，且包括位于第三半导体基板上的第二晶体管，第二晶体管构成像素电路，第三基板以第四表面和第五表面彼此相对的方式堆叠在第二基板上。
成像装置电子设备

[发明专利]工件保持装置及工件加工方法-CN201710623407.3有效
发明人： 横山孝司;成泽正美;黒柳翔吾;七里嘉信 -专利权人：株式会社捷太格特
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： B23Q3/12 文献下载
摘要：本发明提供一种工件保持装置及工件加工方法。工件保持装置(10)包括：第一保持部(11)，具有沿周向空出间隔地对圆环状的工件(W)的轴向端面进行吸附的三个吸附构件(22)；及第二保持部(12)，具有与所述工件(W)的内周面(Wd)或外周面(Wc)抵接的抵接构件(31)，通过所述抵接构件(31)来限制所述工件(W)的径向的移动。
工件保持装置加工方法

[发明专利]半导体装置-CN201680068300.0有效
发明人：神田泰夫;横山孝司 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-09-16 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本技术涉及能够提高成品率的半导体装置。本发明的易失性存储电路具有存储节点，并且存储输入的信息。多个非易失性元件通过相同的连接门连接到易失性存储电路的存储节点，并且用于控制非易失性元件的控制线分别连接到非易失性元件。这样，非易失性元件通过相同的连接门连接到易失性逻辑电路，从而提高成品率。本技术可适用于半导体装置。
半导体装置

[发明专利]非易失性存储器单元、非易失性存储器单元阵列和非易失性存储器单元阵列的信息写入方法-CN202080051589.1在审
发明人： 横山孝司;冈干生;神田泰夫 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：该非易失性存储器单元由变化电阻型的非易失性存储器元件50和选择晶体管TR来构造，其中非易失性存储器元件50的一端连接到选择晶体管TR的一个源极/漏极区域15A并且连接到写入线WR，而选择晶体管TR的另一个源极/漏极区域15B连接到选择线SL。非易失性存储器元件50的另一端连接到位线BL。
非易失性存储器单元阵列信息写入方法

[发明专利]切削工具及加工方法-CN201710832273.6有效
发明人： 横山孝司 -专利权人：株式会社捷太格特
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： B23B27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种切削工具及加工方法。切削工具包括：刀刃部，具有直线状的切削刃；及安装部，具有固定刀刃部的固定部及安装于切削装置的安装部主体，切削刃在与安装部主体的轴心正交的平面上与通过轴心的假想线正交地配置，切削刃的长度方向的中心配置在假想线上。
切削工具加工方法

[发明专利]切削加工方法及切削加工装置-CN201810054181.4有效
发明人： 横山孝司;成泽正美;黑柳翔吾;七里嘉信 -专利权人：株式会社捷太格特
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： B23B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种切削加工方法及切削加工装置，所述切削加工方法是通过在前端安装有杯形刀头的直线状的工具对旋转的圆筒状的工件的内周面进行切削加工的方法。以使工件的轴向一侧的侧面与卡盘装置侧的接触面接触的状态通过卡盘装置来抓持工件。使工件的旋转中心线与假想直线之间的交叉角度小于45度，所述假想直线是与杯形刀头的轴线平行且与旋转中心线交叉的直线。将杯形刀头相对于工件的内周面的进给方向设为从工件的轴向另一侧朝向轴向一侧的方向，通过绕轴线旋转的杯形刀头对工件的内周面进行切削加工。
切削加工方法装置

[发明专利]半导体器件-CN201580060567.0有效
发明人： 横山孝司;时任俊作;长谷川宏;山岸肇 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：半导体器件包括触发器电路、控制线、第一P型晶体管、第一非易失性存储元件、第二P型晶体管和第一非易失性存储元件。触发器电路具有依次连接有第一反相器电路、包括第一节点第一连接线、第二反相器电路和包括第二节点的第二连接线的环形结构。第一P型晶体管和第一非易失性存储元件在第一节点与控制线之间串联地连接。第二P型晶体管和第一非易失性存储元件在第二节点与控制线之间串联地连接。非易失性存储元件是包括从靠近所述控制线的位置开始依次布置的钉扎层、隧道势垒层和自由层的磁隧道结元件。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201710447901.9有效
发明人： 横山孝司 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件。该半导体器件包括：包括有源区域的半导体层；由有源区域构成的半导体元件；连接区域，是半导体层的岛状形状金属化部分；绝缘膜，覆盖半导体层的一个主表面侧；电极，面对着半导体元件和连接区域；第一接触部，在将半导体元件或连接区域连接至电极的第一部分中贯穿绝缘膜；对向电极，面对着电极并与电极连接；层叠绝缘膜，位于绝缘膜的一个主表面侧上以覆盖对向电极；其它半导体元件，位于层叠绝缘膜的对向电极侧的相反侧上；第二接触部，在将其它半导体元件连接至对向电极的第二部分中贯穿层叠绝缘膜；和具有导电性的氧化钽层，位于电极中的至少一者与对向电极之间且其中扩散有电极和/或对向电极的材料。
半导体器件

[发明专利]半导体设备与成像设备-CN201980014306.3在审
发明人： 横山孝司;冈干生;神田泰夫 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-02-07 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：提供一种适合于高度集成的结构的半导体设备。该半导体设备具有：晶体管，具有栅极部、第一扩散层、以及第二扩散层；第一导电部；第二导电部，与第一导电部电绝缘；第一存储器元件，位于第一扩散层与第一导电部之间并且电连接至第一扩散层和第一导电部；以及第二存储器元件，位于第二扩散层与第二导电部之间并且电连接至第二扩散层和第二导电部。
半导体设备成像设备

[发明专利]半导体装置、存储器电路、半导体装置制造方法-CN201480071921.5有效
发明人： 横山孝司;梅林拓 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的半导体装置包含第一扩散部分(22)、第二扩散部分(21)、沟道部分(23)、栅极部分(24)和应力施加部分(31、32或33)。在具有凹槽(10A)的半导体层(10)中，第一扩散部分(22)形成在凹槽(10A)的底部处或附近，第二扩散部分(21)形成在凹槽(10A)的上端处，且沟道部分(23)形成在第一扩散部分(22)与第二扩散部分(21)之间。栅极部分(24)在与沟道部分(23)相对的位置处埋入在凹槽(10A)中。应力施加部分(31、32或33)在垂直于半导体层(10)的方向上将压缩应力和拉伸应力中的一者施加到沟道部分(23)。
半导体装置存储器电路制造方法

[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法-CN201880009362.3在审
发明人： 横山孝司;梅林拓;藤井宣年 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：按照本公开的一个实施例的半导体装置包括：设置有有源元件的第一基板；和与第一基板层叠并且电气耦接到第一基板的第二基板，其中第二基板在第一表面上设置有构成逻辑电路的第一晶体管，在与第一表面相反的第二表面上设置有非易失性存储器元件。
半导体装置第一基板第二基板第一表面非易失性存储器元件第二表面源元件晶体管制造

[发明专利]半导体装置和其制造方法-CN201410139469.3有效
发明人： 横山孝司 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-04-09 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够减小连接电阻的半导体装置以及制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：在半导体基板的主面侧上的晶体管；和在所述半导体基板的背面侧上的电阻变化元件，其中所述晶体管包括在所述半导体基板内的低电阻部，所述低电阻部延伸到所述半导体基板的背面，绝缘膜与所述低电阻部的背面接触设置，所述绝缘膜具有面对所述低电阻部的开口，和所述电阻变化元件通过所述开口连接到所述低电阻部。
半导体装置制造方法

[发明专利]存储器单元结构、制造存储器的方法以及存储器设备-CN201480056283.X有效
发明人：梅林拓;助川俊一;横山孝司;细见政功;肥后丰 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本公开涉及使得能够提供MRAM的存储器单元结构的存储器单元结构、存储器制造方法以及存储器装置，其减小连接到MTJ的牵引布线的电阻、减小存储器单元的面积并避免由于热导致的MTJ的性能退化。存储器单元包括：晶体管，其使用在通过将硅衬底加工为槽形而形成的凹部的底部中形成的第一扩散层和在凹部的两个相对侧壁部分各自的上端部中形成的第二扩散层来在两个侧壁部分中、第一扩散层和第二扩散层之间的部分处形成沟道；以及存储器元件，其设置在第一扩散层之下。第一扩散层经由在使硅衬底薄膜化之后形成的触点而电连接到存储器元件。
存储器单元结构制造方法以及设备

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