[发明专利]工艺室、制备工艺室的方法和操作工艺室的方法

说明书

本发明公开了工艺室以及制备和操作工艺室的方法。在一些实施例中，制备用于处理衬底的工艺室的方法包括：在工艺室的腔内设置的元件上方形成第一阻挡层，元件包括排气材料；以及在工艺室内，在第一阻挡层上方形成第二阻挡层。本发明还涉及工艺室、制备工艺室的方法和操作工艺室的方法。

技术领域

本发明涉及工艺室、制备工艺室的方法和操作工艺室的方法。

背景技术

工艺室通常用于半导体处理。例如，可将衬底放置在工艺室内，并且随后对衬底进行各种半导体处理步骤，诸如沉积、蚀刻、图案化和退火。

随着将半导体器件按比例缩小到65nm以下的临界尺寸，对于从一个衬底到下一个衬底的实现恒定的蚀刻速率、沉积速率、蚀刻深度、临界尺寸、蚀刻轮廓、和金属栅极电阻而言，严格控制工艺室内的条件是重要的。

发明内容

为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种制备用于处理衬底的工艺室的方法，所述方法包括：在所述工艺室的腔内设置的元件上方形成第一阻挡层，所述元件包括排气材料；以及在所述工艺室内，在所述第一阻挡层上方形成第二阻挡层。

在上述方法中，其中，所述第一阻挡层包括硅，并且其中，形成所述第一阻挡层包括：使含硅第一工艺气体流入所述工艺室内；以及通过对所述工艺室的电极施加第一射频功率来由所述含硅第一工艺气体生成第一等离子体。

在上述方法中，其中，所述第一阻挡层包括硅，并且其中，形成所述第一阻挡层包括：使含硅第一工艺气体流入所述工艺室内；以及通过对所述工艺室的电极施加第一射频功率来由所述含硅第一工艺气体生成第一等离子体；其中，所述含硅第一工艺气体包括第一含硅气体、惰性气体和含氧气体的气体混合物。

在上述方法中，其中，所述第一阻挡层包括硅，并且其中，形成所述第一阻挡层包括：使含硅第一工艺气体流入所述工艺室内；以及通过对所述工艺室的电极施加第一射频功率来由所述含硅第一工艺气体生成第一等离子体；其中，所述工艺室内的所述含硅第一工艺气体的压力在从约20毫托至约30毫托的范围内。

在上述方法中，其中，所述第二阻挡层包括硼，并且其中，形成所述第二阻挡层包括：使含硼第二工艺气体流入所述工艺室内；以及通过对所述工艺室的电极施加第二射频功率来由所述含硼第二工艺气体生成第二等离子体。

在上述方法中，其中，所述第二阻挡层包括硼，并且其中，形成所述第二阻挡层包括：使含硼第二工艺气体流入所述工艺室内；以及通过对所述工艺室的电极施加第二射频功率来由所述含硼第二工艺气体生成第二等离子体；其中，所述含硼第二工艺气体包括含硼气体和含卤素气体的气体混合物。

在上述方法中，其中，所述第二阻挡层包括硼，并且其中，形成所述第二阻挡层包括：使含硼第二工艺气体流入所述工艺室内；以及通过对所述工艺室的电极施加第二射频功率来由所述含硼第二工艺气体生成第二等离子体；其中，所述含硼第二工艺气体包括含硼气体和含卤素气体的气体混合物；其中，所述气体混合物还包括含氧气体或含氮气体。

在上述方法中，其中，所述第二阻挡层包括硼，并且其中，形成所述第二阻挡层包括：使含硼第二工艺气体流入所述工艺室内；以及通过对所述工艺室的电极施加第二射频功率来由所述含硼第二工艺气体生成第二等离子体；其中，所述工艺室内的所述含硼第二工艺气体的压力在从约2毫托至约10毫托的范围内。

在上述方法中，其中，形成所述第一阻挡层包括：使所述元件的表面粗糙以形成粗糙的表面；以及在所述元件的粗糙的表面上方沉积所述第一阻挡层。

根据本发明的另一个方面，提供了一种制备用于处理衬底的工艺室的方法，所述方法包括：对在所述工艺室的腔内设置的含石英元件的表面进行处理以形成所述含石英元件的处理的表面；在所述含石英元件的处理的表面上方形成含硅第一阻挡层；以及在所述含硅第一阻挡层上方形成含硼第二阻挡层。