[发明专利]工艺室、制备工艺室的方法和操作工艺室的方法

权利要求书

1.一种制备用于处理衬底的工艺室的方法，所述方法包括：

在所述工艺室的腔内设置的元件上方形成第一阻挡层，所述元件包括排气材料；以及

在所述工艺室内，在所述第一阻挡层上方形成第二阻挡层；

其中，所述第一阻挡层包括硅，所述第二阻挡层包括硼，并且通过与所述第一阻挡层中的硅反应形成所述第二阻挡层。

2.根据权利要求1所述的制备用于处理衬底的工艺室的方法，其中，形成所述第一阻挡层包括：

使含硅第一工艺气体流入所述工艺室内；以及

通过对所述工艺室的电极施加第一射频功率来由所述含硅第一工艺气体生成第一等离子体。

3.根据权利要求2所述的制备用于处理衬底的工艺室的方法，其中，所述含硅第一工艺气体包括第一含硅气体、惰性气体和含氧气体的气体混合物。

4.根据权利要求2所述的制备用于处理衬底的工艺室的方法，其中，所述工艺室内的所述含硅第一工艺气体的压力在从20毫托至30毫托的范围内。

5.根据权利要求1所述的制备用于处理衬底的工艺室的方法，其中，形成所述第二阻挡层包括：

使含硼第二工艺气体流入所述工艺室内；以及

通过对所述工艺室的电极施加第二射频功率来由所述含硼第二工艺气体生成第二等离子体。

6.根据权利要求5所述的制备用于处理衬底的工艺室的方法，其中，所述含硼第二工艺气体包括含硼气体和含卤素气体的气体混合物。

7.根据权利要求6所述的制备用于处理衬底的工艺室的方法，其中，所述气体混合物还包括含氧气体或含氮气体。

8.根据权利要求5所述的制备用于处理衬底的工艺室的方法，其中，所述工艺室内的所述含硼第二工艺气体的压力在从2毫托至10毫托的范围内。

9.根据权利要求1所述的制备用于处理衬底的工艺室的方法，其中，形成所述第一阻挡层包括：

使所述元件的表面粗糙以形成粗糙的表面；以及

在所述元件的粗糙的表面上方沉积所述第一阻挡层。

10.一种制备用于处理衬底的工艺室的方法，所述方法包括：

对在所述工艺室的腔内设置的含石英元件的表面进行处理以形成所述含石英元件的处理的表面；

在所述含石英元件的处理的表面上方形成含硅第一阻挡层；以及

在所述含硅第一阻挡层上方形成含硼第二阻挡层，通过与所述第一阻挡层中的硅反应形成所述第二阻挡层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，处理所述含石英元件的表面包括：使所述含石英元件的表面粗糙。

12.根据权利要求11所述的制备用于处理衬底的工艺室的方法，其中，使所述含石英元件的表面粗糙包括：部分地蚀刻所述含石英元件的表面。

13.根据权利要求10所述的制备用于处理衬底的工艺室的方法，其中，在所述含硅第一阻挡层上方形成所述含硼第二阻挡层包括：包含含硼等离子体的等离子体增强化学汽相沉积工艺。

14.根据权利要求10所述的制备用于处理衬底的工艺室的方法，其中，所述含硼第二阻挡层还包含硅。

15.根据权利要求10所述的制备用于处理衬底的工艺室的方法，其中，所述含硼第二阻挡层还包含氧或氮。