[发明专利]侧面可浸润封装单元及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410383404.3 申请日: 2014-08-06
公开(公告)号: CN105374785B 公开(公告)日: 2018-06-08
发明(设计)人: 康成国 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 中国台湾高雄*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 底座 基部 引脚 下表面 延伸部 侧面 上表面 焊线 封装单元 封装体 半导体封装单元 侧面延伸 金属层 暴露 包封 齐平 浸润 制造 邻近
【权利要求书】:

1.一种封装单元,其包含:

底座;

引脚,所述引脚邻近所述底座,且所述引脚包含基部及延伸部,所述延伸部从所述基部的远离所述底座的侧面延伸,其中所述延伸部的上表面高于所述基部的上表面;

元件,所述元件位于所述底座的上表面;

焊线,所述焊线连接所述元件及所述引脚;

封装体,包封所述元件、所述焊线、所述底座及所述引脚,其中所述封装体的侧面与所述延伸部的侧面齐平,且暴露所述底座的下表面、所述基部的下表面及所述基部的远离所述底座的侧面;以及

金属层,至少位于经暴露的所述底座的下表面、所述基部的下表面及所述基部的远离所述底座的侧面;

其中所述延伸部包括延伸主部及延伸端部,所述延伸端部从所述延伸主部的远离所述底座的侧面延伸,所述延伸端部通过所述延伸主部与所述基部相连接,所述延伸端部的上表面及所述延伸主部的上表面高于所述基部的上表面,所述延伸端部的下表面高于所述延伸主部的下表面,所述延伸主部的下表面高于所述基部的下表面,且所述延伸端部的下表面高于所述基部的上表面。

2.根据权利要求1所述的封装单元,其中所述金属层进一步位于所述延伸主部的下表面及所述延伸主部与所述延伸端部的下表面相邻接的侧面和所述延伸端部的下表面。

3.根据权利要求1所述的封装单元,其中所述延伸主部的上表面与所述延伸端部的上表面齐平。

4.根据权利要求1所述的封装单元,其中所述金属层包含锡或锡合金。

5.根据权利要求1所述的封装单元,其中所述延伸主部的上表面为圆弧形。

6.一种封装单元的制造方法,其包含:

提供底座及引脚,所述引脚邻近于所述底座;

将所述引脚的一部分由所述引脚的上表面突出以形成延伸部,并且于所述引脚的下表面形成第一凹口,所述引脚的其余部分为基部,其中所述延伸部的上表面高于所述基部的上表面;

设置元件于所述底座上;

以焊线连接所述元件与所述引脚;

形成封装体包封所述元件、所述焊线、所述底座、所述基部及所述延伸部,其中所述封装体暴露所述底座的下表面、所述基部的下表面、所述延伸部的下表面及所述第一凹口内的所述基部的侧面;

使用第一切割工具从所述延伸部的下表面部分地切割所述延伸部;

形成金属层于下列表面上:所述基部的下表面及所述第一凹口内的所述基部的侧面;以及

使用第二切割工具切穿所述延伸部及所述封装体,以得到封装单元。

7.根据权利要求6所述的方法,其中使用所述第一切割工具以在所述延伸部的底部形成第二凹口,其中所述第二凹口的宽度小于所述第一凹口的宽度,且所述第二凹口内的所述延伸部的下表面高于所述基部的上表面。

8.根据权利要求7所述的方法,其进一步形成所述金属层于所述延伸部的下表面以及所述第二凹口内的所述延伸部的侧面及下表面。

9.根据权利要求6所述的方法,其中所述第一切割工具比所述第二切割工具宽。

10.根据权利要求6所述的方法,其中使用冲压方式以将所述引脚的一部分由所述引脚的上表面突出以形成延伸部,并且于所述引脚的下表面形成第一凹口。

11.根据权利要求6所述的方法,其中所述延伸部的上表面为圆弧形。

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