[发明专利]用于WAT测试的半导体结构有效
| 申请号： | 201410110056.2 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103872021A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡恩静 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 wat 测试 半导体 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于WAT测试的半导体结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区和位于有源区之间的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述有源区至少有两个，所述有源区的特征尺寸各不相同；
所述浅沟槽隔离结构的表面高于所述有源区的表面，所述半导体结构还包括：多晶硅层，覆盖于所述浅沟槽隔离结构和有源区表面；接触电极，位于所述多晶硅层和/或有源区上方，所述半导体结构用于WAT测试以监控所述多晶硅层的厚度。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源区的数目为4个，所述半导体结构用于获得有源区的特征尺寸的工艺窗口。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述有源区的数目为4个，所述半导体结构用于获得所述浅沟槽隔离结构的厚度。
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