[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201380079333.1 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN105518850A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 高久悟;高冢千州都 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王潇悦;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
形成有第1接触部的基板；
在所述基板上以避开所述第1接触部的方式设置并使用了磁性体的下部屏蔽板；
在所述下部屏蔽板上设置并具有与所述第1接触部电连接的第2接触部的半导体芯片；
将所述第1接触部与所述第2接触部电连接的连接件；和
在所述半导体芯片上以避开所述第2接触部和所述连接件的方式设置并使用了磁性体的上部屏蔽板，
所述下部屏蔽板和所述上部屏蔽板的至少一方的屏蔽板，具有端部向另一方的屏蔽板弯折且前端与另一方的屏蔽板连接的侧壁部。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述侧壁部与所述半导体芯片的没有配置所述连接件的一侧相对。
3.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在形成有第1接触部的基板上，以避开所述第1接触部的方式设置使用了磁性体的下部屏蔽板，
在所述下部屏蔽板上，将具有与所述第1接触部电连接的第2接触部的半导体芯片，以所述第1接触部和所述第2接触部对应的方式配置，
将所述第1接触部和所述第2接触部通过连接件电连接，
在所述半导体芯片上，将在背面形成有具有预定的厚度的可塑性绝缘层的、使用了磁性体的上部屏蔽板，以避开所述第2接触部和所述连接件的方式从所述背面向所述半导体芯片按压，经由从所述下部屏蔽板和所述上部屏蔽板的至少一方的屏蔽板向另一方的屏蔽板延伸的侧壁部，使所述下部屏蔽板和所述上部屏蔽板接触。
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述下部屏蔽板具有2个所述侧壁部、或者所述上部屏蔽板具有2个所述侧壁部、或者所述下部屏蔽板具有1个所述侧壁部且所述上部屏蔽板具有1个所述侧壁部。
5.根据权利要求3或4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述下部屏蔽板具有所述侧壁部。
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