[实用新型]一种自散热式半导体封装结构有效
申请号: | 201320512758.4 | 申请日: | 2013-08-22 |
公开(公告)号: | CN203456440U | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 刘茂生;游平 | 申请(专利权)人: | 江西创成半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/373 | 分类号: | H01L23/373;H01L23/29 |
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地址: | 343000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 散热 半导体 封装 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体封装技术领域,更确切地说是涉及一种自散热式半导体封装结构。
背景技术
在半导体封装技术方面,现有的技术通常采用环氧树脂进行封装,环氧树脂的散热性能很差,难以满足发热较高的半导体封装的需要。
由此可见,上述现有半导体封装结构亟待加以改进。
发明内容
本实用新型所要解决的主要技术问题在于,克服现有的半导体封装结构存在的缺陷,而提供一种自散热式半导体封装结构。
本实用新型解决其主要技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本实用新型提出的一种自散热式半导体封装结构,包括被封装半导体器件、氟硅橡胶层、散热陶瓷颗粒和环氧树脂层,氟硅橡胶层覆盖被封装半导体器件,散热陶瓷颗粒分散于氟硅橡胶层表面,环氧树脂层覆盖散热陶瓷颗粒之间的氟硅橡胶层表面,散热陶瓷颗粒的颗粒尺寸范围为5毫米到20毫米。
本实用新型的有益效果在于,采用散热陶瓷颗粒位于氟硅橡胶层和环氧树脂层之间,可以起到主动散热的作用。
附图说明
图1为本实用新型的截面结构示意图。
附图标记说明:1、被封装半导体器件;2、氟硅橡胶层;3、散热陶瓷颗粒;4、环氧树脂层。
具体实施方式
以下结合附图及较佳实施例,对依据本实用新型提出的其具体实施方式、结构、特征及其功效,详细说明如后。
请参阅图1所示,本实用新型的一种自散热式半导体封装结构,包括被封装半导体器件1、氟硅橡胶层2、散热陶瓷颗粒3和环氧树脂层4,氟硅橡胶层2覆盖被封装半导体器件1,散热陶瓷颗粒3分散于氟硅橡胶层2表面,环氧树脂层4覆盖散热陶瓷颗粒3之间的氟硅橡胶层2表面,散热陶瓷颗粒3的颗粒尺寸范围为5毫米到20毫米。
以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
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