[实用新型]控制半导体封装中的翘曲的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于包括：

衬底；

绝缘层，在衬底的表面之上形成；

半导体管芯，设置在衬底的表面之上；

沟道，在半导体管芯周围的绝缘层中形成；

底部填充材料，沉积在半导体管芯与衬底之间和沟道中；以及

散热器，设置在半导体管芯之上，散热器被热连接到衬底。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述底部填充材料被沿着半导体管芯的第一边缘且沿着与第一边缘相对的半导体管芯的第二边缘沉积在半导体管芯与衬底之间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述沟道延伸通过在衬底之上形成的绝缘层以使衬底暴露。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述沟道部分地延伸通过在衬底之上形成的绝缘层，绝缘层保持沟道的占位空间内的衬底之上的覆盖。

5.一种半导体器件，其特征在于包括：

衬底；

半导体管芯，设置在衬底之上；

沟道，在半导体管芯周围的衬底中形成；

底部填充材料，沉积在沟道中；以及

散热器，设置在半导体管芯之上，散热器被热连接到衬底。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于所述底部填充材料被沉积在半导体管芯与衬底之间。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于所述底部填充材料被沿着半导体管芯的第一边缘且沿着与第一边缘相对的半导体管芯的第二边缘沉积在半导体管芯与衬底之间。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于所述底部填充材料被沿着半导体管芯的第一、第二、第三和第四边缘沉积在半导体管芯与衬底之间。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于所述衬底包括绝缘层且所述沟道延伸通过绝缘层。

10.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于所述衬底包括绝缘层且所述沟道部分地延伸通过绝缘层。

11.一种半导体器件，其特征在于包括：

衬底；

半导体管芯，设置在衬底之上；

沟道，在半导体管芯周围的衬底中形成；以及

底部填充材料，沉积在沟道中。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于还包括在半导体管芯之上形成的热界面材料。

13. 根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于还包括设置在半导体管芯之上的散热器，散热器被热连接到衬底。

14. 根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于所述底部填充材料被沉积在半导体管芯与衬底之间。

15. 根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于所述衬底包括绝缘层且所述沟道部分地延伸通过绝缘层。