[发明专利]半导体封装电磁屏蔽结构及制作方法无效
申请号: | 201310587159.3 | 申请日: | 2013-11-20 |
公开(公告)号: | CN103617991A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 王宏杰;徐健;孙鹏 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/12 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 电磁 屏蔽 结构 制作方法 | ||
1.一种半导体封装电磁屏蔽结构,其特征在于:包括一有机基板(1),所述有机基板(1)具有两个相对的导体面,两个导体面之间的有机基板(1)内设有至少一层金属屏蔽层(2);
芯片(3)贴装在有机基板(1)的一个导体面上,芯片(3)的连接凸点(31)与该导体面连接;
电磁屏蔽罩(5)固定在贴装有芯片(3)的导体面上,将芯片(3)完全罩在其内;电磁屏蔽罩(5)的侧壁(51)底部通过贯通有机基板(1)的电通孔(6)与金属屏蔽层(2)以及有机基板(1)的另一导体面电连接;
芯片(3)的与信号和电源相关的连接凸点(31)通过贯通有机基板(1)且与金属屏蔽层(2)绝缘的信号与电源通道(7)与有机基板(1)的另一个导体面电连接;
在有机基板(1)的另一导体面上植有焊球(9),焊球(9)中的接地焊球(91)电连接电通孔(6),信号与电源焊球(92)电连接信号与电源通道(7)。
2.如权利要求1所述的半导体封装电磁屏蔽结构,其特征在于:所述芯片(3)的底部填充有芯片底填(4)。
3.如权利要求1或2所述的半导体封装电磁屏蔽结构,其特征在于:所述金属屏蔽层(2)为覆铜层。
4.一种半导体封装电磁屏蔽结构的制作方法,其特征在于,包括下述步骤:
步骤一.提供有机基板(1),该有机基板(1)具有两个相对的导体面,有机基板(1)内预置有一层金属屏蔽层(2);
在有机基板(1)上开贯通有机基板(1)两个导体面的电通孔(6),使得电通孔(6)电连接两个导体面以及金属屏蔽层(2);
在有机基板(1)上开贯通有机基板(1)两个导体面的信号与电源通道(7),使得信号与电源通道(7)电连接两个导体面,并且使得信号与电源通道(7)与金属屏蔽层(2)绝缘;
电通孔(6)设在信号与电源通道(7)的外围;
步骤二.将芯片(3)贴装在在有机基板(1)的一个导体面上,使得芯片(3)的连接凸点(31)与该导体面连接,且使得与信号和电源相关的连接凸点(31)同信号与电源通道(7)的一端连接;
步骤三.将电磁屏蔽罩(5)固定在贴装有芯片(3)的导体面上,使得电磁屏蔽罩(5)将芯片(3)完全罩在其内;并且使得电磁屏蔽罩(5)的侧壁(51)底部与电通孔(6)的一端连接;
步骤四.在有机基板(1)的另一导体面上植焊球(9),使得焊球(9)中的接地焊球(91)连接电通孔(6)的另一端,信号与电源焊球(92)连接信号与电源通道(7)的另一端。
5.如权利要求4所述的半导体封装电磁屏蔽结构的制作方法,其特征在于:所述步骤二中,芯片(3)通过倒装焊方式贴装在有机基板(1)上,且位于信号与电源通道(7)上方。
6.如权利要求4所述的半导体封装电磁屏蔽结构的制作方法,其特征在于:所述步骤二中,芯片(3)贴装完毕后,还包括在芯片(3)底部填充芯片底填(4)的步骤。
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