[发明专利]一种半导体封装件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201310413208.1 申请日: 2013-09-11
公开(公告)号: CN103441116A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 黄源炜;徐振杰;曹周;敖利波 申请(专利权)人: 杰群电子科技(东莞)有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/48
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 张帅
地址: 523750 广东省东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 封装 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明属于半导体封装领域,具体涉及一种半导体封装件及其制造方法。

背景技术

导线架作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用导线架,是电子信息产业中重要的基础材料。

现有用导线架作为半导体芯片载体的半导体封装件,是将半导体芯片的非作用表面接置于导线架的芯片座,再通过多条焊线将半导体芯片的作用表面电性连接到导线架的管脚上,然后再借由封装胶体包覆半导体芯片、焊线以及导线架。现有半导体封装件往往在与PCB结合的时候由于结合力不足从而导致结合的不牢固。

中国发明专利说明书CN102254889A中公开了一种大功率半导体器件,依次包括引线框架、底板、设置在底板上的陶瓷片、设置在陶瓷片上的小底板、固定在小底板上的半导体芯片,所述引线框架上设有管脚,其特征是:所述半导体芯片的电极与引线框架的管脚通过铜片相连接,所述铜片呈3-6 夹角的V 字形结构,所述夹角中烧结填充有焊锡膏。本发明通过对所述铜片进行改进,使之达到增加焊接的牢固性,那么有没有其他的方式可以实现同样的目的呢?

申请号为200510059833.6的中国发明专利说明书中公开了一种倒装芯片式封装结构及其制造方法,该封装结构包括导线架以及至少一个芯片;本发明的倒装芯片式封装结构及其制造方法主要是将芯片作用表面上的焊锡凸块经回焊制程接置并电性连接在导线架上前。很显然,本发明中只是在导线架的底部设有焊锡层,并不能很好的保证焊线的质量。

发明内容

本发明提供了一种在半导体封装件后续焊接到PCB板上时,提高两者的焊接牢固性的半导体封装件;本发明同时提供一种半导体封装件的制作方法,其目的是提供一种可以增加导线架的管脚侧面的焊锡量的半导体封装件的制造方法,进而可以制造出在半导体封装件后续焊接到PCB板上时,保证两者的焊接牢固性的半导体封装件。

本发明首先提供一种半导体封装件,包括导线架和芯片,所述导线架具有一芯片座,所述芯片通过结合材固定在所述芯片座上,所述芯片与导线架的管脚连有焊线,一封装胶体包覆芯片于导线架上,所述导线架外部裸露部分镀有电镀层。

作为一种优选的方案,所述导线架管脚侧面镀有电镀层。

作为一种更优选方案,所述电镀层为锡层。

本发明同时提供一种半导体封装件制造方法,包括:

s1,将导线架平放,然后将芯片通过结合材固定在导线架的芯片座上,所述芯片与导线架的管脚连有焊线,一封装胶体包覆芯片于导线架上; 

s2,挖豁口:在所述导线架两侧底部挖出豁口,较佳地,当挖豁口时,所述导线架上固有凹模板;

s3,电镀:对s2中挖出豁口的导线架进行电镀;

s4,冲裁:在豁口处对导线架进行冲裁处理,得到导线架管脚侧面镀有电镀层的半导体封装件。较佳地,当冲裁时,所述导线架上固有凹模板。

较佳地,所述电镀层为锡层。

较佳地,在所述s2中,使用凸模对导线架底部进行半切处理。

其中,在挖豁口时,所述豁口可为“∧”形或“∏”形或“┐”形;当然,所述豁口的形状不限于以上3种。

由上述说明可知,本发明通过在导线架的外部裸露部分镀有电镀层,特别是在导线架管脚侧面镀有电镀层,大大的增加了导线架管脚侧面的电镀层面积,为半导体封装件后续焊接到PCB板上时,提高两者的焊接牢固性提供了有力的保障;本发明所提供了一种半导体封装件制造方法,不但在导线架的底部镀上了电镀层(镀锡层),更是进一步的在电镀工艺前通过挖豁口工艺,使得电镀层(镀锡层)进入到导线架管脚的侧面,在后续的冲裁处理后侧面可以保留较大面积的电镀层(镀锡层),这大大的增加了导线架管脚的电镀层(镀锡层)的面积,使得本方法做制造出来的半导体封装件在后续焊接到PCB板上时,保证两者焊接的牢固性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明半导体封装件结构示意图;

图2是本发明半导体封装件制造方法s1中半导体封装件结构示意图;

图3是本发明半导体封装件制造方法s2中(豁口为“∧”形)半导体封装件结构示意图;

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