[发明专利]包括热辐射部的半导体芯片及半导体芯片的制造方法

权利要求书

1.一种半导体芯片，包括：

半导体基板，包括第一表面和第二表面；

集成电路，在所述半导体基板的所述第一表面上；以及

热辐射部，在所述半导体基板的所述第二表面上，该热辐射部包括：

在垂直于所述第二表面的方向上的热辐射图案，该热辐射图案包括多个凹槽和多个突起，以及

在所述热辐射图案的上部上的热辐射层，该热辐射层包括金属材料并且具有平坦的上表面。

2.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述热辐射层包括在所述多个凹槽中的埋入部，该埋入部包括所述金属材料。

3.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述热辐射层包括：

在所述多个凹槽中的埋入部，该埋入部包括所述金属材料；以及

暴露部，在所述埋入部的每个的上部和所述多个突起的每个的上部上。

4.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述热辐射图案包括在所述第二表面上的条形图案，该条形图案包括具有沿第一方向延伸的直线形状的所述多个突起，所述多个突起沿着垂直于所述第一方向的第二方向形成并且彼此间隔开。

5.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述热辐射图案包括在所述第二表面上的格子图案，该格子图案包括具有在第一方向上和在垂直于所述第一方向的第二方向上形成并且彼此间隔开的矩形形状的所述多个突起和所述多个凹槽的其中一种。

6.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述热辐射图案包括在所述第二表面上的圆形图案，该圆形图案包括具有在第一方向上和在垂直于所述第一方向的第二方向上形成并且彼此间隔开的圆形形状的所述多个突起和所述多个凹槽的其中一种。

7.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述热辐射图案包括在所述第二表面上的环形图案，该环形图案包括具有在第一方向上和在垂直于所述第一方向的第二方向上形成并且彼此间隔开的环形形状的所述多个突起和所述多个凹槽的其中一种。

8.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述多个突起的每个的纵向截面的顶端和所述多个凹槽的每个的纵向截面的底端中的其中之一是直的。

9.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述多个突起的每个的纵向截面的顶端和所述多个凹槽的每个的纵向截面的底端中的其中之一是圆形的。

10.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述多个凹槽的每个具有倒置三角形截面和倒置梯形截面之一。

11.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述金属材料包括包含碳和银之一的硅化合物。

12.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述集成电路包括配置为驱动显示面板的驱动电路。

13.一种制造半导体芯片的方法，该方法包括：

在半导体基板的第一表面中形成电路区域；

对所述半导体基板的面对所述第一表面的第二表面执行背部减薄；

通过在所述第二表面上产生多个凹槽和多个突起而形成热辐射图案；

通过施加金属材料到所述热辐射图案的上部上而形成热辐射层；以及

平坦化所述热辐射层的顶表面。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述形成热辐射图案包括在所述第二表面的整个区域上形成所述热辐射图案。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述形成热辐射图案包括在小于100℃的温度下执行光刻工艺。

16.一种半导体芯片，包括：

半导体基板，包括第一表面和第二表面；

在所述半导体基板的所述第一表面上的集成电路；以及

在所述半导体基板的所述第二表面上的热辐射部，该热辐射部包括多个凹槽和在所述多个凹槽中的金属材料。

17.如权利要求16所述的半导体芯片，其中所述热辐射部具有平坦的上表面。

18.如权利要求16所述的半导体芯片，其中所述热辐射部还包括通过所述多个凹槽分离的多个突起。

19.如权利要求18所述的半导体芯片，其中所述多个突起的每个的纵向截面的顶端和所述多个凹槽的每个的纵向截面的底端中的其中之一是直的和圆形的其中一种。

20.如权利要求18所述的半导体芯片，其中所述多个突起具有沿第一方向延伸并且沿着垂直于所述第一方向的第二方向形成的直线形状。