[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

相关申请

本申请以日本专利申请2012-57215号(申请日：2012年3月14日)为基础申请，享受优先权。本申请通过参照该基础申请，包含该基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

以往，已知有在形成了布线层的基板上载置控制芯片和/或存储芯片等的半导体芯片的半导体装置。这样的半导体装置中，通过用金属线连接基板上设置的电极衬垫和芯片上设置的电极衬垫(以下，也称为接合)，使基板和芯片相互电气连接。这样的半导体装置中，为了装置本身的薄型化，期望进一步抑制金属线的环路(loop)高度。

发明内容

一个实施方式的目的是提供半导体装置及其制造方法，在谋求抑制金属线的环路高度，实现装置的薄型化的同时，可以抑制接合的工序数，抑制成本。

根据一个实施方式，提供具备基板、半导体芯片、电极衬垫和金属线的半导体装置。半导体芯片在基板上至少层叠2级以上。这里，基板上是指以基板的半导体芯片层叠面侧为上侧的情况。电极衬垫在基板及半导体芯片上形成。金属线将电极衬垫间电气连接。在与电极衬垫中一个电极衬垫结合（接合）的金属线的一端，设置有形成有可针脚式接合（stitch bonding）的承受面的基部。金属线从避开基部的承受面的位置向在一个电极衬垫的上级设置的另一电极衬垫延伸。一端结合到在一个电极衬垫的下级设置的又一电极衬垫的另一金属线的另一端，通过针脚式接合结合到基部的承受面。与电极衬垫中最上级的电极衬垫结合的金属线的最上级的电极衬垫侧的一端，与在最上级的电极衬垫上设置的凸起连接。

附图说明

图1是第1实施方式的半导体装置的截面图。

图2是放大图1所示A部分的部分放大截面图，用于说明接合的步骤。

图3是放大图1所示A部分的部分放大截面图，用于说明接合的步骤。

图4是放大图1所示A部分的部分放大截面图，用于说明接合的步骤。

图5是沿图4所示B-B线的箭头方向的截面图。

图6是放大图1所示A部分的部分放大截面图，用于说明接合的步骤。

图7是沿图6所示C-C线的箭头方向的截面图。

图8是用于说明半导体装置的制造步骤的流程图。

图9是作为比较例的半导体装置的截面图。

标号说明：

1半导体装置，2基板，3半导体芯片，3a下级侧半导体芯片(一个半导体芯片)，3b上级侧半导体芯片(另一半导体芯片)，4金属线，4a上级金属线，4b下级金属线(另一金属线)，5基板侧电极衬垫(又一电极衬垫)，6芯片侧电极衬垫，6a下级芯片侧电极衬垫(一个电极衬垫)，6b上级芯片侧电极衬垫(另一电极衬垫)，7粘接剂，8基部，9承受面，10凸起，11毛细管，11a端面部，11b贯通孔，12球部，51半导体装置，54a上级金属线，54b下级金属线，60凸起，X，Y，Z间隔。

具体实施方式

以下参照附图，详细说明实施方式的半导体装置及其制造方法。另外，该实施方式不是限定本发明。

(第1实施方式)

图1是第1实施方式的半导体装置的截面图。半导体装置1具备基板2、半导体芯片3、金属线4。基板2例如是在绝缘性树脂基板的内部和/或表面设有布线层的基板，兼作元件搭载基板和端子形成基板。作为这样的基板2，使用采用玻璃-环氧树脂树脂和/或玻璃-BT树脂(双马来酰亚胺·三嗪树脂)等的印刷布线板。在基板2的表面，形成多个电极衬垫(基板侧电极衬垫(又一电极衬垫)5)。

半导体芯片3是在基板2上安装的半导体元件，例如是用于控制DRAM和/或NAND闪速存储器等的控制芯片和/或DRAM和/或NAND闪速存储器等的半导体存储芯片。在半导体芯片3的上表面，形成多个电极衬垫(芯片侧电极衬垫6)。

多片半导体芯片3在基板2上层叠。本实施方式中，举例说明2片半导体芯片3层叠的情况。另外，以下的说明中，在基板2直接安装的半导体芯片3也称为下级侧半导体芯片(一个半导体芯片)3a，在下级侧半导体芯片3a的上级层叠的半导体芯片3也称为上级侧半导体芯片(另一半导体芯片)3b。