[发明专利]半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201310013661.3 申请日: 2013-01-15
公开(公告)号: CN103311203A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 渡边昭吾 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 刘瑞东;陈海红
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,具备:

基板;

以上述基板的半导体芯片层叠面侧为上侧时在上述基板上至少层叠2级以上的上述半导体芯片;

在上述基板及上述半导体芯片上形成的电极衬垫;以及

电气连接上述电极衬垫间的金属线;

在与上述电极衬垫中的一个电极衬垫结合的上述金属线的一端,设置有形成有可针脚式接合的承受面的基部,上述金属线从避开上述承受面的位置向在上述一个电极衬垫的上级设置的另一电极衬垫延伸,

一端结合到在上述一个电极衬垫的下级设置的又一电极衬垫的另一金属线的另一端,通过针脚式接合结合到在上述基部形成的上述承受面,

与上述电极衬垫中最上级的电极衬垫结合的上述金属线的最上级的上述电极衬垫侧的一端,与在最上级的上述电极衬垫上设置的凸起连接。

2.一种半导体装置,其特征在于,具备:

基板;

在上述基板上至少层叠2级以上的半导体芯片;

在上述基板及上述半导体芯片上形成的电极衬垫;以及

电气连接上述电极衬垫间的金属线,

在与上述电极衬垫中的一个电极衬垫结合的上述金属线的一端,设置有形成有可针脚式接合的承受面的基部,上述金属线从避开上述承受面的位置向在上述一个电极衬垫的上级设置的另一电极衬垫延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

一端结合到在上述一个电极衬垫的下级设置的又一电极衬垫的另一金属线的另一端,通过针脚式接合结合到在上述基部形成的上述承受面。

4.一种半导体装置的制造方法,上述半导体装置具备:基板;以上述基板的半导体芯片层叠面侧为上侧时在上述基板上至少层叠2级以上的上述半导体芯片;在上述基板及上述半导体芯片上形成的电极衬垫;以及电气连接上述电极衬垫间的金属线;

其特征在于,

通过由从前端供给上述金属线的毛细管,在上述电极衬垫中的一个电极衬垫上将在上述金属线的一端形成的球部压塌,将上述金属线的一端与上述一个电极衬垫结合,

使上述毛细管的端面部抵压到上述球部被压塌而形成的基部,形成可针脚式接合的承受面,

使上述毛细管向在上述一个电极衬垫的上级设置的另一电极衬垫侧移动,将上述金属线的另一端针脚式接合到上述另一电极衬垫。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

将一端结合到在上述一个电极衬垫的下级设置的又一电极衬垫的另一金属线的另一端,通过针脚式接合结合到在上述基部形成的上述承受面。

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