[发明专利]用于半导体芯片的连接载体和半导体器件有效
申请号: | 201280014298.0 | 申请日: | 2012-03-16 |
公开(公告)号: | CN103548136A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | R·奥贝尔施密德 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;刘春元 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体 芯片 连接 载体 半导体器件 | ||
1.用于至少一个半导体芯片(7)的连接载体(1),其中,
-所述连接载体具有包括主面(20)的载体主体(2),
-在主面上形成第一连接面(31)和与所述第一连接面有间隔的第二连接面(32),
-连接载体具有机械去耦装置(5),所述机械去耦装置被设置用于降低机械力从载体主体向第一连接面的至少一个区域的传递。
2.根据权利要求1所述的连接载体,其特征在于,机械去耦装置通过载体主体内的凹进(21)形成。
3.根据权利要求2所述的连接载体,其特征在于,凹进被填充有填充材料(51),所述填充材料具有比载体主体低的弹性模量。
4.根据权利要求3所述的连接载体,其特征在于,填充材料的弹性模量最高为载体主体弹性模量的0.7倍。
5.根据权利要求3所述的连接载体,其特征在于,机械去耦装置通过在填充材料中形成的卷边形成。
6.根据权利要求2~5中任一项所述的连接载体,其特征在于,在连接载体的俯视图中,凹进与第一连接面和与第二连接面重叠。
7.根据权利要求1或2所述的连接载体,其特征在于,机械去耦装置通过卷边(52)形成。
8.根据权利要求1所述的连接载体,其特征在于,机械去耦装置通过第一连接面的曲折形走向的区域(33)形成。
9.根据权利要求8所述的连接载体,其特征在于,机械去耦装置通过凹进(21)形成,其中,该凹进局部地沿曲折形走向的区域的外围边(331)形成。
10.根据前述权利要求中任一项所述的连接载体,其特征在于,机械去耦装置通过第一连接面的如下区域(34)形成,在该区域中第一连接面自由地位于主面上。
11.根据前述权利要求中任一项所述的连接载体,其特征在于,第二连接面至少是第一连接面的1.5倍那么大。
12.根据前述权利要求中任一项所述的连接载体,其特征在于,第二连接面的外围边(321)具有至少两个点,其中,在这些点之间走向的想象的直接连接线穿过第一连接面地走向。
13.根据前述权利要求中任一项所述的连接载体,其特征在于,第二连接面的外围边至少局部地沿着第一连接面的三个侧面(310a,310b,310c)走向。
14.包含根据前述权利要求中任一项所述的连接载体(1)以及至少一个半导体芯片(7)的半导体器件(8),其中,所述至少一个半导体芯片在面向连接载体的底侧(73)上具有第一接触部(71)和第二接触部(72),其中,第一接触部与第一连接面电连接并且第二接触部与第二连接面电连接。
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