[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。

本申请基于2011年3月10日在日本申请的特愿2011-053541号主张优先权，在此援用其内容。

背景技术

近年来，研究了代替TSOP（Thin Small Outline Package：薄型小外形封装）等封装制作晶片级封装的方法。作为该方法之一，例如有将硅晶片上密封的方法。在该方法中，在芯片尺寸等方面有制约。

目前，研究了使用板状的伪晶片的晶片级封装。作为这样的封装技术，例如，在专利文献1中有记载。专利文献1中记载的使用伪晶片的封装方法包括以下工序。首先，在载体上粘贴再剥离性安装膜，在该安装膜上搭载多个芯片。使用环氧树脂组合物将多个芯片密封。然后，通过将该膜剥离，制作伪晶片。在该伪晶片中，多个芯片的连接面露出。记载有：能够通过将这样制作的伪晶片按每个元件分割、并将具有元件的分割体配置在内插式基板中，进行封装。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利公报第7326592号说明书

发明内容

发明要解决的技术问题

但是，发明人研究的结果发现，在现有技术中，在将安装膜从伪晶片的密封树脂表面剥离时，安装膜的一部分会残留在密封树脂表面上（以下，有时称为粘接剂残留）。由于这样的粘接剂残留，半导体装置的成品率有可能降低。

用于解决技术问题的手段

本发明如以下所述。

［1］

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在热剥离性粘接层的主面上配置多个半导体元件的工序；

使用半导体密封用树脂组合物，形成将上述热剥离性粘接层的上述主面上的多个上述半导体元件密封的密封件层的工序；和

通过将上述热剥离性粘接层剥离，使上述密封件层的下表面和上述半导体元件的下表面露出的工序，

将上述热剥离性粘接层剥离的上述工序之后的上述密封件层的上述下表面的接触角，在使用甲酰胺测定时为70度以下。

［2］

如［1］所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：形成上述密封件层的工序包括在100℃以上150℃以下的温度条件下进行固化处理的工序。

［3］

如［1］或［2］所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在将上述热剥离性粘接层剥离的上述工序之后，在上述密封件层的上述下表面上和上述半导体元件的上述下表面上形成重新布线用绝缘树脂层的工序；和

在上述重新布线用绝缘树脂层上形成重新布线电路的工序。

［4］

如［3］所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在将上述热剥离性粘接层剥离的上述工序之后，并且在形成上述重新布线用绝缘树脂层的工序之前，在150℃以上200℃以下的温度条件下进一步进行固化后处理的工序。

［5］

如［1］～［4］中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在形成上述密封件层的上述工序中，通过使用颗粒状的上述半导体密封用树脂组合物进行压缩成形，形成上述密封件层。

［6］

如［1］～［5］中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：使用介电分析装置在测定温度125℃、测定频率100Hz的条件下测定时的到达上述半导体密封用树脂组合物的饱和离子粘度的时刻，在从测定开始起100秒以上900秒以下。

［7］

如［1］～［6］中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在测定温度180℃、剥离速度50mm/min的条件下测定时的上述密封件层与上述安装膜的剥离强度为1N/m以上10N/m以下。

［8］

如［1］～［7］中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在125℃、10分钟的条件下固化后的上述密封件层的肖氏D硬度为70以上。

［9］

如［1］～［8］中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：使用介电分析装置在测定温度125℃、测定频率100Hz的条件下测定时的上述半导体密封用树脂组合物的最低离子粘度为6以上8以下，并且从测定开始起的经过时间为600秒后的离子粘度为9以上11以下。

［10］