[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在热剥离性粘接层的主面上配置多个半导体元件的工序；

使用半导体密封用树脂组合物，形成将所述热剥离性粘接层的所述主面上的多个所述半导体元件密封的密封件层的工序；和

通过将所述热剥离性粘接层剥离，使所述密封件层的下表面和所述半导体元件的下表面露出的工序，

将所述热剥离性粘接层剥离的所述工序之后的所述密封件层的所述下表面的接触角，在使用甲酰胺测定时为70度以下。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

形成所述密封件层的工序包括在100℃以上150℃以下的温度条件下进行固化处理的工序。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在将所述热剥离性粘接层剥离的所述工序之后，在所述密封件层的所述下表面上和所述半导体元件的所述下表面上形成重新布线用绝缘树脂层的工序；和

在所述重新布线用绝缘树脂层上形成重新布线电路的工序。

4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在将所述热剥离性粘接层剥离的所述工序之后，并且在形成所述重新布线用绝缘树脂层的工序之前，在150℃以上200℃以下的温度条件下进一步进行固化后处理的工序。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在形成所述密封件层的所述工序中，通过使用颗粒状的所述半导体密封用树脂组合物进行压缩成形，形成所述密封件层。

6.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

使用介电分析装置在测定温度125℃、测定频率100Hz的条件下测定时的到达所述半导体密封用树脂组合物的饱和离子粘度的时刻，在从测定开始起100秒以上900秒以下。

7.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在测定温度180℃、剥离速度50mm/min的条件下测定时的所述密封件层与所述安装膜的剥离强度为1N/m以上10N/m以下。

8.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在125℃、10分钟的条件下固化后的所述密封件层的肖氏D硬度为70以上。

9.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

使用介电分析装置在测定温度125℃、测定频率100Hz的条件下测定时的所述半导体密封用树脂组合物的最低离子粘度为6以上8以下，并且从测定开始起的经过时间为600秒后的离子粘度为9以上11以下。

10.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

使用高化式粘度测定装置在测定温度125℃、负荷40kg的条件下测定时的所述半导体密封用树脂组合物的高化式粘度为20Pa·s以上200Pa·s以下。

11.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

260℃的所述密封件层的弯曲强度为10MPa以上100MPa以下。

12.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

260℃的所述密封件层的弯曲弹性模量为5×10²MPa以上3×10³MPa以下。

13.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

使用动态粘弹性测定器在三点弯曲模式、频率10Hz、测定温度260℃的条件下测定时的所述密封件层的储能模量（E'）为5×10²MPa以上5×10³MPa以下。

14.一种半导体装置，其特征在于：

通过权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法得到。