[实用新型]双层基板的半导体封装结构有效
申请号: | 201220733216.5 | 申请日: | 2012-12-27 |
公开(公告)号: | CN203038906U | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 陈石矶 | 申请(专利权)人: | 标准科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/488 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周长兴 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双层 半导体 封装 结构 | ||
1.一种双层基板的半导体封装结构,包括:
一第一基板,具有一第一表面及相对的一第二表面,并配置一基板开口于该第一基板中央区域并贯穿该第一表面至该第二表面;
复数条第一金属导线,是以彼此间隔扇出排列于该第一基板的第二表面的该基板开口的两侧端;
复数个锡球,电性连接于该些第一金属导线扇出的一端上;及一半导体封装结构,包括:
一第二基板,具有一上表面,于该上表面上配置两组第二金属导线群,每一该第二金属导线群是由复数条彼此间隔排列的第二金属导线所组成,且于该两组第二金属导线群之间形成一芯片配置区;
一芯片,配置于该芯片配置区上,并使该芯片上的复数个焊垫曝露;及
复数条芯片导线,每一该芯片导线的一端与该芯片上的每一焊垫电性连接,而每一该芯片导线的另一端与该第二金属导线群中的每一该第二金属导线的一端电性连接;
其中,该双层基板的半导体封装结构的特征在于:
由该半导体封装结构上的该些第二金属导线群与该第一基板上的该些第一金属导线的另一端电性连接成一体,并使该芯片位于该基板开口中。
2.根据权利要求1所述双层基板的半导体封装结构,其特征在于,该些第二金属导线群与该些第一金属导线相接处进一步形成复数个电性连接点。
3.根据权利要求1所述双层基板的半导体封装结构,其特征在于,该第一基板及该第二基板为高分子材质基板。
4.根据权利要求1所述双层基板的半导体封装结构,其特征在于,该第一基板及该第二基板为印刷电路板。
5.根据权利要求1所述双层基板的半导体封装结构,其特征在于,该些锡球的高度高于该第二基板的高度。
6.根据权利要求1所述双层基板的半导体封装结构,其特征在于,该基板开口进一步以一封装层填充,且该封装层覆盖该芯片及该些芯片导线。
7.根据权利要求6所述双层基板的半导体封装结构,其特征在于,该封装层为环氧树脂。
8.一种双层基板的半导体封装结构,包括:
一第一基板,具有一第一表面及相对的一第二表面,并配置一基板开口于该第一基板中央区域并贯穿该第一表面至该第二表面;
复数条第一金属导线,是以彼此间隔排列于该第一基板的第一表面的该基板开口的两侧端;
复数个锡球,电性连接于该些第一金属导线扇出的一端上;及
一半导体封装结构,包括:
一第二基板,具有一上表面,于该上表面上配置两组第二金属导线群,每一该第二金属导线群是由复数条彼此间隔排列的第二金属导线组成,且于该两组第二金属导线群之间形成一芯片配置区;及
一芯片,该芯片上配置复数个焊垫,该芯片以芯片倒装方式将每一该焊垫与该第二金属导线群中的每一该第二金属导线的一端电性连接;
其中,该双层基板的半导体封装结构的特征在于:
由该半导体封装结构上的该些第二金属导线群与该第一基板上的该些第一金属导线的另一端电性连接成一体,并使该芯片位于该基板开口中。
9.根据权利要求8所述双层基板的半导体封装结构,其特征在于,该些第二金属导线群与该些第一金属导线相接处进一步形成复数个电性连接点。
10.根据权利要求8所述双层基板的半导体封装结构,其特征在于,该第一基板及该第二基板为高分子材质基板。
11.根据权利要求8所述双层基板的半导体封装结构,其特征在于,该第一基板及该第二基板为印刷电路板。
12.根据权利要求8所述双层基板的半导体封装结构,其特征在于,该些锡球的高度高于该第二基板的高度。
13.根据权利要求8所述双层基板的半导体封装结构,其特征在于,该基板开口进一步以一封装层填充,该封装层并覆盖该芯片。
14.根据权利要求13所述双层基板的半导体封装结构,其特征在于,该封装层为环氧树脂。
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