[发明专利]封装件层叠结构及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201210587511.9 申请日: 2012-12-28
公开(公告)号: CN103367291A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 郑荣伟;王宗鼎;李建勋;庄钧智 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 层叠 结构 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种封装半导体器件,包括:

具有第一半导体管芯的第一封装件;

具有第二半导体管芯的第二封装件;

位于所述第一封装件和所述第二封装件之间的多个接合结构,其中,所述多个接合结构连接位于所述第一封装件和所述第二封装件之间的导电元件,其中所述多个接合结构中的每一个都包括直线形侧壁。

2.根据权利要求1所述的封装半导体器件,其中,所述直线侧壁与所述第二封装件的模塑料相邻。

3.根据权利要求1所述的封装半导体器件,其中,所述多个接合结构形成多行和多列,在相同行或者相同列中的相邻接合结构之间不存在模塑料。

4.根据权利要求3所述的封装半导体器件,其中,相邻行或相邻列的接合结构通过模塑料隔离。

5.根据权利要求1所述的封装半导体器件,其中,所述多个接合结构填充在所述第二封装件的模塑料中形成的开口,其中每个所述开口都具有直线形侧壁。

6.根据权利要求5所述的封装半导体器件,其中,每个所述开口都具有范围在大约100μm和大约350μm之间的宽度。

7.一种封装半导体器件,包括:

具有第一半导体管芯的第一封装件;

具有第二半导体管芯的第二封装件;

位于所述第一封装件和所述第二封装件之间的多个接合结构,其中,所述多个接合结构连接位于所述第一封装件和所述第二封装件之间的导电元件,所述多个接合结构中的每一个都包括直线形侧壁,所述多个接合结构形成多行和多列,在相同行或者相同列中的相邻接合结构之间不存在模塑料。

8.一种形成半导体器件封装件的方法,包括:

在第一半导体管芯的第一封装件的第一连接件上方形成开口,其中,所述开口通过去除所述第一连接件的部分导电材料和围绕所述第一连接件的部分模塑料来形成;

在所述第一封装件上方置放具有第二半导体管芯的第二封装件,其中,所述第二封装件的第二连接件至少位于所述开口中;

进行回流焊以将所述第二连接件和所剩余的第一连接件接合以形成接合结构。

9.根据权利要求8所述的方法,其中,形成所述开口包括:使用材料去除工具来去除所述第一封装件上的所述第一连接件和其他连接件以及围绕所述第一连接件和其他连接件的所述模塑料。

10.根据权利要求8所述的方法,其中,所述开口的宽度等于或者大于所述第一连接件的最大宽度。

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