[发明专利]具有自对准金属线互连件的无通孔互连结构

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一导线，设置在所述衬底上方，其中，所述第一导线位于第一互连层中并沿着第一方向延伸；

第二导线和第三导线，所述第二导线和所述第三导线中的每一条均沿着不同于所述第一方向的第二方向延伸，其中，所述第二导线和所述第三导线位于不同于所述第一互连层的第二互连层中，并且所述第二导线和所述第三导线通过位于所述第一导线上方或下方的间隙分开；以及

第四导线，将所述第二导线和所述第三导线电连接到一起，所述第四导线位于不同于所述第一互连层和所述第二互连层的第三互连层中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第四导线沿着所述第二方向延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第四导线设置在所述第二导线和所述第三导线之间的间隙上方。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

第五导线，位于所述第一互连层中；以及

第六导线，位于所述第二互连层中；

其中，所述第五导线和所述第六导线直接物理接触。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

第五导线，设置在所述第二导线和所述第四导线之间；以及

第六导线，设置在所述第三导线和所述第四导线之间；

其中，所述第五导线和所述第六导线位于第四互连层中，所述第四互连层设置在所述第二互连层和所述第三互连层之间。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第五导线和第六导线均沿着所述第一方向延伸。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一互连层、所述第二互连层和所述第三互连层中的至少一层不包含通孔。

9.一种半导体互连结构，包括：

第一金属层，形成在衬底上方，所述第一金属层包含在第一方向上定向的第一金属线；

第二金属层，形成在所述衬底上方，所述第二金属层与所述第一金属层不同并包含第二金属线、第三金属线以及将所述第二金属线和所述第三金属线分开的介电元件，所述第二金属线和所述第三金属线在不同于所述第一方向的第二方向上定向；以及

第三金属层，形成在所述衬底上方，所述第三金属层与所述第一金属层和所述第二金属层不同，所述第三金属层包含第四金属线，所述第四金属线位于所述介电元件上方或下方并桥接所述第二金属线和所述第三金属线。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上方形成第一金属层，所述第一金属层包含在第一方向上延伸的多条第一金属线；

在所述衬底上方形成第二金属层，所述第二金属层与所述第一金属层不同，所述第二金属层包含在不同于所述第一方向的第二方向上延伸的多条第二金属线，所述第二金属线被一个或多个介电元件分开，其中，所述第二金属线的第一子集直接位于所述第一金属线的第一子集上，并且将所述第二金属线的第二子集分开的一个介电元件直接位于所述第一金属线的第二子集上；以及

在所述衬底上方形成第三金属层，所述第三金属层与所述第一金属层和所述第二金属层不同，所述第三金属层包含位于所述第二金属线的第二子集的上方或下方且位于所述第二金属层的介电元件的上方或下方的至少一条第三金属线，其中，所述第二金属线的第二子集通过所述第三金属线电连接到一起。