[发明专利]半导体封装结构无效
申请号: | 201210256085.0 | 申请日: | 2012-07-23 |
公开(公告)号: | CN103367289A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 李达钧 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/31;H01L23/29 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 | ||
1.一种半导体封装结构,包括:
半导体元件;
基板,包括接垫,且该接垫上具有保护层;
接合线,连接该半导体元件至该接垫,其中该接合线的一端贯穿该保护层而与该接垫的一表面的一部分接合以形成一接合区;以及
封装胶体,包覆该半导体元件、该接垫以及该接合线。
2.如权利要求1所述的半导体封装结构,其中该接垫自一焊罩层暴露,且该接垫除了该接合区外实质上被该保护层完全覆盖。
3.如权利要求1所述的半导体封装结构,其中在该接垫上的打线接合为铜-铜接合。
4.如权利要求1所述的半导体封装结构,其中该保护层包括具有多个金属颗粒的导电有机材料。
5.如权利要求4所述的半导体封装结构,其中该导电有机材料包括一电性导电聚合物以及多个贵金属颗粒的一组合。
6.如权利要求1所述的半导体封装结构,其中该保护层包括陶瓷纳米涂层。
7.如权利要求1所述的半导体封装结构,其中该接合线为镀钯的铜导线。
8.如权利要求1所述的半导体封装结构,其中该接合区包括铜-钯-铜介金属。
9.如权利要求1所述的半导体封装结构,其中该接合线包括金导线。
10.如权利要求9所述的半导体封装结构,其中多层铜-金合金层形成于该接垫与该接合线之间。
11.一种半导体封装结构,包括:
基板,包括至少一接垫,其中该接垫的材质主要为铜;
半导体元件,配置于该基板上;
接合线,连接该半导体元件至该接垫,其中该接合线的材质主要为铜;
铜-铜接面,形成于该接垫与该接合线之间;
保护层,除了介于该接垫与该接合线之间的一接合区外实质上完全覆盖该接垫的表面;以及
封胶体,包覆该半导体元件、该接垫以及该接合线。
12.如权利要求11所述的半导体封装结构,其中该保护层包括具有多个金属颗粒的导电有机材料。
13.如权利要求12所述的半导体封装结构,其中该导电有机材料包括一电性导电聚合物以及多个贵金属颗粒的一组合。
14.如权利要求11所述的半导体封装结构,其中该铜-铜接面包括介金属区。
15.如权利要求11所述的半导体封装结构,其中该保护层包括陶瓷纳米涂层。
16.一种半导体封装结构,包括:
基板,包括接垫,其中该接垫的材质主要为铜;
镀钯的铜导线,耦接至该接垫并在该接垫上定义一接合区;
保护材料,环绕该接合区;以及
铜-钯-铜介金属区,位于该接合区内。
17.如权利要求16所述的半导体封装结构,其中该保护层包括具有多个金属颗粒的导电有机材料。
18.如权利要求17所述的半导体封装结构,其中该导电有机材料包括一电性导电聚合物以及多个贵金属颗粒的一组合。
19.如权利要求16所述的半导体封装结构,其中该保护材料钝化该接垫以降低氧化。
20.如权利要求16所述的半导体封装结构,其中该保护材料包括陶瓷纳米涂层。
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