[发明专利]半导体封装及其形成方法

说明书

技术领域

示例实施方式涉及半导体封装及其形成方法。

背景技术

随着电子产业的发展，日益需要电子元件的高功能、高速和小尺寸。为了适应该趋势，需要在单个半导体封装中安装各种类型的半导体芯片，而不是同一类型的半导体芯片。然而，由于半导体芯片的类型彼此不同，半导体芯片的尺寸和/或功能可以彼此不同。因此，会引起诸如半导体封装的水平尺寸增加或引线偏移（wire sweeping）之类的问题。此外，用作导线的金昂贵且引线工艺需要长的工艺时间。因此，半导体封装的生产率会降低。

发明内容

示例实施方式可以提供能够提高互连的自由度的半导体封装。

示例实施方式还可以提供能够提高生产率的形成半导体封装的方法。

在一些示例实施方式中，半导体封装可以包括：基板，包括基板连接端子；至少一个半导体芯片，堆叠在基板上并具有芯片连接端子；第一绝缘层，至少覆盖基板的一部分和至少一个半导体芯片的一部分；和/或互连，穿透第一绝缘层以将基板连接端子连接到芯片连接端子。

在一些示例实施方式中，第一绝缘层可以包括聚合物层和分散在聚合物层中的含金属的粒子。

在一些示例实施方式中，互连可以包括无电镀覆层。

在一些示例实施方式中，第一绝缘层可以包括暴露基板连接端子和芯片连接端子的孔并包括凹入区。互连可以位于凹入区和孔中。

在一些示例实施方式中，凹入区的侧壁和底部的表面粗糙度可以大于第一绝缘层的顶表面的表面粗糙度。孔的内侧壁的表面粗糙度可以大于第一绝缘层的顶表面的表面粗糙度。

在一些示例实施方式中，至少一个半导体芯片还可以包括：保护层，包括部分地暴露芯片连接端子的开口；和/或激光阻挡图案，位于开口中。激光阻挡图案可以与芯片连接端子接触。

在一些示例实施方式中，激光阻挡图案可以包括金、镍和铅中至少之一。

在一些示例实施方式中，至少一个半导体芯片可以提供为多个，且多个半导体芯片可以堆叠在基板上。半导体芯片的边缘部分可以构成基板上的台阶结构。第一绝缘层可以延伸以共形地覆盖半导体芯片的顶表面、侧壁和底表面以及基板的顶表面。

在一些示例实施方式中，至少一个半导体芯片可以还包括在第一绝缘层下方的虚拟芯片连接端子。虚拟芯片连接端子可以垂直地交叠互连并与互连绝缘。

在一些示例实施方式中，可以向至少一个半导体芯片提供多个芯片连接端子。第一绝缘层可以延伸以同时接触彼此相邻的芯片连接端子。

在一些示例实施方式中，基板连接端子可包括第一基板连接端子和第二基板连接端子。芯片连接端子可以包括第一芯片连接端子和第二芯片连接端子。互连可以包括第一互连和第二互连，第一互连将第一基板连接端子连接到第一芯片连接端子，第二互连将第二基板连接端子连接到第二芯片连接端子。第一绝缘层可以包括位于第一互连下方的第一绝缘层和位于第一互连与第二互连之间的第二绝缘层。

在一些示例实施方式中，半导体封装可以还包括第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖与互连相邻的第一绝缘层、至少一个半导体芯片和基板。

在一些示例实施方式中，至少一个半导体芯片可以提供为多个，半导体芯片的端部构成台阶结构，芯片连接端子位于半导体芯片的端部上并被暴露。第一绝缘层可以覆盖半导体芯片的端部并暴露芯片连接端子。互连可以位于第一绝缘层上并将芯片连接端子彼此连接。第二绝缘层可以共形地覆盖以下部分：没有被互连覆盖的第一绝缘层；第二半导体芯片的顶表面、侧壁和底表面；基板的顶表面。

在一些示例实施方式中，第一绝缘层可以包括凹入区和暴露基板连接端子和芯片连接端子的孔。第二绝缘层可以包括与凹入区的侧壁对齐的侧壁。

在一些示例实施方式中，第二绝缘层的侧壁的表面粗糙度可以大于第二绝缘层的顶表面的表面粗糙度。

在一些示例实施方式中，第二绝缘层可以不包括含金属的粒子。

在一些示例实施方式中，第二绝缘层可以包括聚对二甲苯、特氟纶和环氧模塑化合物中的至少之一。

在一些示例实施方式中，半导体封装可以包括：堆叠的半导体芯片，半导体芯片的边缘部分构成台阶结构，每个半导体芯片包括芯片连接端子；至少一个绝缘层，至少覆盖半导体芯片的边缘部分；和/或互连，穿透至少一个绝缘层以连接到每个半导体芯片的芯片连接端子。