[发明专利]用于堆叠的半导体封装构造及其制造方法

权利要求书

1.一种用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述用于堆叠的半导体封装构造包含：

一底基板，具有一上表面及一下表面，所述上表面具有数个焊垫及一芯片承载区；

一芯片，固设于所述底基板的芯片承载区；

一环形转接基板，具有数个转接组件、数个接垫及一开口，所述转接组件设于所述环形转接基板的一下表面，所述接垫设于所述环形转接基板的一上表面，所述开口贯穿所述环形转接基板，所述转接组件围绕在所述开口的周围并电性连接所述底基板的焊垫；以及

一封装胶体，填充在所述底基板与环形转接基板之间形成的一间隙内，以及填充在所述环形转接基板的开口内，且包覆所述芯片及转接组件，其中所述开口内的封装胶体曝露出所述芯片的一顶面。

2.如权利要求1所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述底基板选自无核芯层的印刷电路基板或可挠性薄膜基板。

3.如权利要求1所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述环形转接基板选自具核芯层的印刷电路基板。

4.如权利要求1所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述开口处的封装胶体上另设有一散热片，所述散热片热性接触所述芯片的顶面。

5.如权利要求4所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述散热片位于所述开口内，或位于所述开口的上唇缘上。

6.如权利要求4所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述散热片的一下表面与所述芯片的顶面之间具有一导热层。

7.如权利要求6所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述导热层选自导热银胶涂层、铟层或铟锡层。

8.如权利要求4所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述散热片具有数根支撑肋，所述支撑肋由所述开口处延伸到所述环形转接基板的一上表面的数个角隅位置。

9.如权利要求4所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述散热片对应所述开口具有至少一个填胶孔。

10.如权利要求1所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造做为一堆叠式封装体的一下封装体，并通过所述接垫结合一上封装体。

11.如权利要求10所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造的环形转接基板与所述上封装体之间另夹设有一有机间隔基板。

12.如权利要求11所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述有机间隔基板选自无核芯层的印刷电路基板或可挠性薄膜基板。

13.如权利要求1所述的用于堆叠的半导体封装构造，其特征在于：所述芯片与所述底基板的上表面之间填充有所述封装胶体或一底部填充胶。

14.一种用于堆叠的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：

提供一底基板，所述底基板具有一上表面及一下表面，所述上表面具有数个焊垫及一芯片承载区；

将一芯片固设于所述底基板的芯片承载区；

提供一环形转接基板，并通过所述环形转接基板的一下表面的数个转接组件电性连接所述底基板的焊垫，其中所述环形转接基板开设有一开口，所述转接组件围绕在所述开口的周围，及所述环形转接基板的一上表面设有数个接垫；以及

将一封装胶体填入所述底基板与环形转接基板之间形成的一间隙内及所述环形转接基板的开口内，所述封装胶体包覆所述芯片及转接组件，且所述开口内的封装胶体曝露出所述芯片的一顶面。

15.如权利要求14所述的用于堆叠的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：在填入所述封装胶体的步骤之前，先在所述环形转接基板的上方使用一层临时性胶膜；以及，在进行填入所述封装胶体的步骤之后，再撕除所述临时性胶膜。

16.如权利要求14所述的用于堆叠的半导体封装构造的制造方法，其特征在于：在填入所述封装胶体的步骤之前，先在所述环形转接基板的开口处设置一散热片，所述散热片对应所述开口具有数个填胶孔；以及，在填入所述封装胶体的步骤中，通过所述散热片的填胶孔填入所述封装胶体。