[发明专利]电力用半导体装置以及逆变器装置

权利要求书

1.一种电力用半导体装置，其特征在于，具备：

第1导体，具有第1部分和第2部分，第1部分具有第1主面和处于上述第1主面的相反一侧的第2主面，第2部分具有与上述第1主面正交的第3主面和处于上述第3主面的相反一侧、越是趋向上述第1主面越是远离上述第3主面的同时与上述第2主面连续的第4主面；

第2导体，具有第3部分和第4部分，第3部分具有第5主面和处于上述第5主面的相反一侧的第6主面，第4部分具有与上述第5主面正交的第7主面和处于上述第7主面相反一侧、越是趋向上述第5主面越是远离上述第7主面的同时与上述第6主面连续的第8主面；

第1半导体芯片，在背面具有与上述第1导体的上述第3主面电连接的第1电极，在表面具有与上述第2导体的上述第7主面电连接的第2电极，该第1半导体芯片被夹在上述第3主面和上述第7主面之间，在上述第1电极和上述第2电极之间流过电流；

散热板，隔着绝缘片接合于上述第1导体的上述第1主面以及上述第2导体的上述第5主面；以及

树脂，密封上述第1导体以及上述第2导体。

2.根据权利要求1所述的电力用半导体装置，其特征在于：

上述第1导体以及上述第2导体分别通过将具有规定的开口的模型推到导体材料上，从上述模型的上述开口中挤出或者拔出上述导体材料而形成。

3.根据权利要求1所述的电力用半导体装置，其特征在于：

上述第1半导体芯片还具有在上述第1半导体芯片的表面与上述第2电极绝缘的、控制在上述第1电极和上述第2电极之间流过的电流的栅极电极。

4.根据权利要求3所述的电力用半导体装置，其特征在于：

在上述第1导体的上述第3主面和上述第2导体的上述第7主面之间进一步具有二极管，该二极管具有与上述第1半导体芯片的上述第1电极电连接的阴极电极、和与上述第1半导体芯片的上述第2电极电连接的阳极电极。

5.根据权利要求1所述的电力用半导体装置，其特征在于：

上述第4主面越是趋向上述第1主面越是远离上述第3主面的同时与上述第2主面连续的部分具有向上述第1主面和上述第3主面正交的部分弯曲的表面，

上述第8主面越是趋向上述第5主面越是远离上述第7主面的同时与上述第6主面连续的部分具有向上述第5主面和上述第7主面正交的部分弯曲的表面。

6.根据权利要求1所述的电力用半导体装置，其特征在于：

上述第4主面越是趋向上述第1主面越是远离上述第3主面的同时与上述第2主面连续的部分具有平面，

上述第8主面越是趋向上述第5主面越是远离上述第7主面的同时与上述第6主面连续的部分具有平面。

7.根据权利要求1所述的电力用半导体装置，其特征在于：

上述第1半导体芯片是IGBT。

8.根据权利要求1所述的电力用半导体装置，其特征在于：

上述第2导体进一步具有第5部分，第5部分具有在和上述第7主面相反一侧、与上述第5主面正交的第9主面；处于上述第9主面的相反一侧、越是趋向上述第5主面越是远离上述第9主面的同时与上述第6主面连续的第10主面，

上述电力用半导体装置进一步具备：

第3导体，第3导体具有第6部分和第7部分，第6部分具有隔着上述绝缘片与上述散热板接合的第11主面和处于上述第11主面的相反一侧的第12主面，第7部分具有与上述第11主面正交的第13主面和处于上述第13主面的相反一侧、越是趋向上述第11主面越是远离上述第13主面的同时与上述第12主面连续的第14主面；

第2半导体芯片，在背面具有与上述第2导体的上述第9主面电连接的第3电极，在表面具有与上述第3导体的上述第13主面电连接的第4电极，该第2半导体芯片被夹在上述第9主面和上述第13主面之间，在上述第3电极和上述第4电极之间流过电流。

9.根据权利要求8所述的电力用半导体装置，其特征在于：

上述第1导体、上述第2导体以及上述第3导体分别是将具有规定的开口的模型推到导体材料上，通过从上述模型的上述开口挤出或者拔出上述导体材料而形成。