[发明专利]半导体存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 201210035735.9 | 申请日： | 2012-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN103258860A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 霍宗亮;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/49;H01L29/51;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体存储器件，为NOR型闪存存储阵列中的存储单元，其特征在于，包括：
衬底；
衬底上的隧穿层；
隧穿层上的浮栅和控制栅，以及浮栅和控制栅之间的阻挡层；
其中，所述浮栅采用单晶或微晶半导体材料。
2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述阻挡层为单层结构或两层结构。
3.根据权利要求2所述的存储器件，其特征在于，所述阻挡层的材料为SiO2、SiON或高k介质材料。
4.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述浮栅的顶部基本为拱形。
5.一种半导体存储器件的制造方法，所述存储器件为NOR型闪存存储阵列中的存储单元，其特征在于，包括：
提供SOI衬底；
图案化所述SOI衬底的顶层硅和埋氧层，以形成隧穿层及浮栅；
在所述浮栅上形成阻挡层，以及在所述阻挡层上形成控制栅。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述阻挡层为单层结构或两层结构。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，采用热氧化、ALD或二者结合的方法形成所述阻挡层。
8.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在形成隧穿层及浮栅时还包括：以及刻蚀所述SOI衬底的背衬底以形成字线方向上的隔离沟槽，在隔离沟槽中形成隔离。
9.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在形成浮栅之后，形成阻挡层之前，还包括步骤：将所述浮栅进行圆角化，以使浮栅的顶部为拱形。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，采用氧化-刻蚀法、高温分解法或化学干法刻蚀将所述浮栅进行圆角化。
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