[发明专利]粘接的晶圆片堆叠和电镀粘接的晶圆片堆叠的方法

说明书

技术领域

本发明涉及粘接的晶圆片堆叠。

技术背景

本文所提供的背景技术说明以对本发明的内容作一般性说明为目的。发明人的某些工作（即已在此背景技术部分中作出描述的工作）以及说明书中关于某些尚未成为申请日之前的现有技术的内容，无论是以明确或隐含的方式均不被视为相对于本发明的现有技术。

一粘接的晶圆片堆叠包括两片经由粘接层粘接的晶圆片堆叠。每一晶圆片堆叠可包括多个在制造时堆叠的半导体晶圆片和一粘接（金属）层。每一半导体晶圆片可包括一个或多个带有各自的电子元件的集成电路（IC）。在制造时可以对所述结合的晶圆片堆叠的一顶面进行电镀。所述顶面为非导体为了电镀所述顶面，在电镀前于所述顶面上施加一种子层。所述种子层允许电镀材料(或一金属层)附着到所述顶面上。

所述种子层横跨地施加于所述顶面上，并跨越所述晶圆片堆叠的第一（顶端）片的外缘。电镀引线连接到所述种子层，贴近其外缘，以在电镀期间向种子层供应电流。电镀要求一从所述外缘的电镀引线到所述晶圆片堆叠顶面的所有区域的导电通路。

所述种子层沿着所述结合的晶圆片堆叠的外缘可以有不连续面（或缺口）。所述不连续面可以归因于所述外缘的形状(尖角)和/或归因于所述结合的晶圆片堆叠的一个或多个层的悬垂突出区域。例如，所述两个晶圆片堆叠的第一个可能比第一粘接层大并且延伸到一悬垂突出区域上。所述第一粘接层可以配置在两个晶圆片堆叠之间并用于粘接该两个晶圆片堆叠。所述种子层可以施加在整个第一晶圆片堆叠和整个悬垂突出区域之上。第一个晶圆片堆叠的尖锐边缘和所述悬垂突出区域可以导致所述种子层的不连续面。

所述不连续面可能会消极地影响一电镀层的厚度均匀性，所述电镀层在电镀过程期间形成于所述结合的晶圆片堆叠的顶面上。所述电镀层的厚度是所述种子层的传导率和/或电阻的函数。所述不连续面越大和/或存在于所述种子层的不连续面越多，在所述结合的晶圆片堆叠顶面上电镀层的厚度变化得越多。

所述结合的晶圆片堆叠的顶面中心和所述电镀引线之间的电阻可以变化，例如，在10到几百欧姆之间。该电阻的变化可以导致电镀层厚度的10-20%的不均匀性(整个电镀层的平均厚度±10%)，其取决于电镀层的平均厚度。

发明内容

一种晶圆片结构，其包括第一晶圆片堆叠和配置在第一晶圆片堆叠上的第一粘接层。所述晶圆片结构还包括第二晶圆片堆叠，其包括第一表面及与第一表面相对的第二表面。一配置在所述第二表面上的第二粘接层，其与所述第一粘接层接触。所述第二晶圆片堆叠包括从所述第一表面延伸到所述第二粘接层的硅通孔(TSVs)。一配置在所述第一表面上并与所述TSVs接触的种子层。

本发明的其他技术特征，是提供了一种电镀晶圆片结构的方法。所述方法包括提供了第一晶圆片堆叠，其带有第一表面及与第一表面相对的第二表面。TSVs在第一晶圆片堆叠中形成并从所述第一表面延伸到所述第二表面。一种子层施加在所述第一表面上所述种子层根据所述TSVs的特性被施与电镀。

本发明还有的其他技术特征，是提供了一种晶圆片结构的制造方法。所述晶圆片结构的制造方法包括电镀一晶圆片结构的电镀方法。所述晶圆片结构的制造方法还包括施加第一粘接层到所述第一晶圆片堆叠的第二表面上。设置有第二晶圆片堆叠。所述第二晶圆片堆叠上施加有第二粘接层。所述第一粘接层与所述第二粘接层对准并粘接。所述第一粘接层和所述第二粘接层是金属层。

本发明在更多领域的适用性将从以下详细说明、权利要求和附图中显露。以下详细说明和具体的实施例是仅用于解说，并不限制本发明的范围。

附图说明

本发明将通过以下详细说明和附图全面地理解，其中：图1为本发明的一结合的晶圆片堆叠(晶圆片结构)的侧视截面图；

图2为图1结合的晶圆片堆叠的一部分的截面侧端视图；

图3为本发明的不带粘接层的一晶圆片堆叠的底视图；

图4为根据本发明的图3的晶圆片堆叠加上一粘接层后的底视图；

图5为本发明的晶圆片结构的制造方法流程。

具体实施方式

以下说明仅仅是解说性质的，并不意图限制本发明及其申请或使用。为了明晰，附图将引用相同的标号以识别相似的元件。如本文所使用的，至少A、B和C中的一个用语使用一个非唯一的逻辑或来表示一逻辑(A或B或C)。应理解一种方法内的步骤可经不同的顺序执行而不改变本发明的原理。