[发明专利]粘接的晶圆片堆叠和电镀粘接的晶圆片堆叠的方法

权利要求书

1.一种晶圆片结构，其包括：

第一晶圆片堆叠；

布置在所述第一晶圆片堆叠上的第一粘接层；

第二晶圆片堆叠，其包括：

第一表面；和

与所述第一表面相对的第二表面；

配置在所述第二表面上的第二粘接层，其与所述第一粘接层接触，

其中所述第二晶圆片堆叠包括从所述第一表面延伸到所述第二粘接层的硅通孔(TSVs)；和

布置在所述第一表面上并与所述硅通孔接触的种子层。

2.根据权利要求1的晶圆片结构，其中：

所述第一晶圆片堆叠包括第一套电子元件；

所述第二晶圆片堆叠包括第二套电子元件；以及

所述第一晶圆片堆叠、所述第二晶圆片堆叠、所述第一粘接层、所述第二粘接层形成至少一个电路小片晶片。

3.根据权利要求1的晶圆片结构，其中至少一个：

所述第一晶圆片堆叠包括多个晶圆片；以及

所述第二晶圆片堆叠包括多个晶圆片。

4.根据权利要求1的晶圆片结构，其中所述种子层跨越所述第一表面延伸到所述第一晶圆片堆叠的边缘并与第一粘接层接触。

5.根据权利要求1的晶圆片结构，其中：

所述种子层设为与电镀引线接触；以及

所述电镀引线设为在电镀过程期间接收电流。

6.根据权利要求1的晶圆片结构，还包括布置在所述种子层上的电镀层，其中跨越所述第一表面的电镀层的厚度型面是基于所述硅通孔的特性。

7.根据权利要求6的晶圆片结构，其中所述硅通孔的特性包括：

一电路小片晶片的每一单位面积的所述硅通孔的数量；

所述硅通孔的尺寸；

所述硅通孔的型式；以及

一集成电路的每一有效区域的所述硅通孔的数量。

8.根据权利要求1的晶圆片结构，其中与所述第一粘接层相对的所述第二表面的表面面积小于对应的所述第一粘接层的表面面积。

9.根据权利要求1的晶圆片结构，其中所述硅通孔贯穿所述第二晶圆片堆叠并且与所述第二粘接层和所述种子层接触。

10.根据权利要求1的晶圆片结构，其中所述硅通孔中的至少一个位于所述晶圆片结构的有效区之间的划线通道内。

11.根据权利要求1的晶圆片结构，还包括多个电路小片晶片，其中所述多个的电路小片晶片包括：

第一晶圆片堆叠；

第二晶圆片堆叠；

第一粘接层；和

第二粘接层，且

其中所述硅通孔布置在所述多个的电路小片晶片的有效区域之间。

12.根据权利要求1的晶圆片结构，其中第二粘接层包括与所述硅通孔接触的硅通孔垫。

13.根据权利要求的晶圆片结构，其中：

所述种子层在所述第二晶圆片堆叠的边缘有间断；并且

所述种子层填充所述硅通孔并在每一所述硅通孔处与第二粘接层接触。

14.根据权利要求的晶圆片结构，其中至少一个所述硅通孔减少和提高，所述第一粘接层的边缘和至少一个所述种子层的中心、所述第二晶圆片堆叠的中心之一的之间的电阻和传导率。

15.一种微机电系统(MEMs)，其包括至少一个根据权利要求1的晶圆片结构，其中所述至少一个的晶圆片结构包括多个电子元件。

16.一种电镀晶圆片结构的方法，其包括：

提供带有第一表面及与第一表面相对的第二表面的第一晶圆片堆叠；

在所述第一晶圆片堆叠内制成硅通孔(TSVs)，所述硅通孔从所述第一表面延伸到所述第二表面；

在所述第一表面上施加种子层；并且

根据所述硅通孔的特性电镀所述种子层。

17.根据权利要求16的方法，其中：

所述种子层施加在所述第一表面并且超出所述第一晶圆片堆叠的边缘以与电镀引线接触；并且

对所述种子层的电镀包括施加电流到所述电镀引线上从而电镀所述种子层。