[发明专利]含纤维树脂基板、半导体元件搭载基板及半导体元件形成晶片、半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种含纤维树脂基板，是至少用以将搭载了半导体元件的基板的半导体元件搭载面、或是形成了半导体元件的晶片的半导体元件形成面一并封装的含纤维树脂基板，其特征在于，具有：

树脂含浸纤维基材，所述树脂含浸纤维基材是使热固化性树脂含浸于纤维基材中，并使所述热固化性树脂半固化或固化而成；及

未固化树脂层，所述未固化树脂层是由被形成于所述树脂含浸纤维基材的单面上的未固化的热固化性树脂所构成。

2.根据权利要求1所述的含纤维树脂基板，其中，

所述树脂含浸纤维基材的X-Y方向的膨胀系数为3ppm以上且15ppm以下。

3.根据权利要求1所述的含纤维树脂基板，其中，

所述未固化树脂层的厚度为20微米以上且200微米以下。

4.根据权利要求2所述的含纤维树脂基板，其中，

所述未固化树脂层的厚度为20微米以上且200微米以下。

5.根据权利要求1所述的含纤维树脂基板，其中，

所述未固化树脂层含有在低于50℃时固化并且在50℃以上且150℃以下时熔化的环氧树脂、硅树脂、及环氧-硅混成树脂中的任一种。

6.根据权利要求2所述的含纤维树脂基板，其中，

所述未固化树脂层含有在低于50℃时固化并且在50℃以上且150℃以下时熔化的环氧树脂、硅树脂、及环氧-硅混成树脂中的任一种。

7.根据权利要求3所述的含纤维树脂基板，其中，

所述未固化树脂层含有在低于50℃时固化并且在50℃以上且150℃以下时熔化的环氧树脂、硅树脂、及环氧-硅混成树脂中的任一种。

8.根据权利要求4所述的含纤维树脂基板，其中，

所述未固化树脂层含有在低于50℃时固化并且在50℃以上且150℃以下时熔化的环氧树脂、硅树脂、及环氧-硅混成树脂中的任一种。

9.一种封装后半导体元件搭载基板，其特征在于，所述封装后半导体元件搭载基板，是通过根据权利要求1～8中任一项所述的含纤维树脂基板的未固化树脂层，将搭载了半导体元件的基板的半导体元件搭载面加以覆盖，并且将所述未固化树脂层加热、固化，以通过所述含纤维树脂基板一并封装而成。

10.一种封装后半导体元件形成晶片，其特征在于，所述封装后半导体元件形成晶片，是通过根据权利要求1～8中任一项所述的含纤维树脂基板的未固化树脂层，将形成了半导体元件的晶片的半导体元件形成面加以覆盖，并且将所述未固化树脂层加热、固化，以通过所述含纤维树脂基板一并封装而成。

11.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置，是将根据权利要求9所述的封装后半导体元件搭载基板加以切割、单片化而成。

12.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置，是将根据权利要求10所述的封装后半导体元件形成晶片加以切割、单片化而成。

13.一种半导体装置的制造方法，其是制造半导体装置的方法，其特征在于，具有下述工序：

覆盖工序，所述覆盖工序是通过根据权利要求1～8中任一项所述的含纤维树脂基板的未固化树脂层，将搭载了半导体元件的基板的半导体元件搭载面、或是形成了半导体元件的晶片的半导体元件形成面加以覆盖；

封装工序，所述封装工序是将所述未固化树脂层加热、固化，以将所述搭载了半导体元件的基板的半导体元件搭载面、或是所述形成了半导体元件的晶片的半导体元件形成面一并封装，而做成封装后半导体元件搭载基板或封装后半导体元件形成晶片；及

单片化工序，所述单片化工序是将所述封装后半导体元件搭载基板或所述封装后半导体元件形成晶片加以切割、单片化，以制造半导体装置。