[发明专利]半导体器件和堆叠半导体装置

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

贯通电极，其在垂直方向上形成以便延伸贯通半导体器件；

串联电路部分，其由连续地串联连接的多个测试准备开关形成，并且由通过堆叠在上层侧或下层侧的不同半导体器件的预定不同层贯通电极传输到所述贯通电极的驱动电压驱动；以及

一对测试端子，其连接到所述串联电路部分的端部，并且适配用于测量所述串联电路部分的传导。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述测试准备开关是响应于栅极电压的施加而置于导通状态的第一晶体管，并且所述第一晶体管在其栅极连接到所述贯通电极。

3.如权利要求2所述的半导体器件，还包括插入在所述第一晶体管的每一个的栅极和地之间的电阻器。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述电阻器是第二电阻器，其响应于栅极电压的施加被驱动以便产生预定电阻值。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述串联电路部分包括多个分割串联电路部分，其通过连续地串联连接相互不重叠的那些所述第一晶体管形成，并且所述半导体器件还包括：

选择电路，适配为选择所述分割串联电路部分之一作为选择的对象；以及

驱动电路部分，适配为驱动插入在地和形成选择作为测量对象的分割串联电路部分的那些第一晶体管的栅极之间的所述第二晶体管。

6.一种半导体器件，包括：

贯通电极，其在垂直方向上形成以便延伸贯通半导体器件；

串联电路部分，其由连续地串联连接的多个测试准备开关形成，并且由通过堆叠在上层侧或下层侧的不同半导体器件的不同层贯通电极传输到所述贯通电极的驱动电压驱动；

一对测试端子，其连接到所述串联电路部分的端部，并且适配用于测量所述串联电路部分的传导；以及

驱动电压施加部分，适配为施加驱动电压到所述贯通电极，所述驱动电压用于驱动在不同半导体器件的特定一个中提供的测试准备开关。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述测试准备开关是响应于栅极电压的施加而置于导通状态的第一晶体管，并且所述第一晶体管在其栅极连接到所述贯通电极；以及

所述驱动电压施加部分是插入在所述贯通电极和用于驱动电压的信号线之间的第三晶体管，并且所述第三晶体管适配为响应于栅极电压的施加而置于导通状态。

8.如权利要求7所述的半导体器件，还包括第二晶体管，其插入在所述第一晶体管的栅极和地之间，并且响应于栅极电压的施加被驱动以便产生预定电阻值。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第二晶体管和所述第三晶体管并联插入在所述第一晶体管的栅极和输入控制电压的端子之间，所述控制电压在驱动电压的电势和地电势之间切换。

10.如权利要求7所述的半导体器件，还包括：

模式切换晶体管，其插入在对应于正常操作工作的正常操作准备电路部分和所述贯通电极之间，并且适配为响应于栅极电压的施加而在导通和截止状态之间切换；

所述模式切换晶体管响应于将所述第三晶体管置于导通状态的栅极电压的施加而置于截止状态。

11.一种堆叠半导体装置，包括：

相互堆叠的至少第一半导体器件和第二半导体器件；

所述第一半导体器件包括

第一贯通电极，其在垂直方向上形成以便延伸贯通第一半导体器件，

串联电路部分，其由连续地串联连接的多个测试准备开关形成，并且由通过从所述第二半导体器件到所述第一半导体器件的贯通电极的连接而传输到所述第一贯通电极的驱动电压驱动，以及

一对测试端子，其连接到所述串联电路部分的端部，并且适配用于测量所述串联电路部分的传导，

所述第二半导体器件包括

第二贯通电极，其在垂直方向上形成以便延伸贯通第二半导体器件，并且通过从所述第二半导体器件到所述第一半导体器件的贯通电极的连接而连接到所述第一贯通电极，以及

驱动电压施加部分，适配为施加驱动电压到所述第二贯通电极。